Отправить запрос |
Главная страница Продукцияp type silicon substrate онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

p type silicon substrate онлайн производство

(81)
Купить кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг Politype 4H p онлайн производитель

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг Politype 4H p
контакт

Подробнее
2022-10-09 10:12:00
Купить кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг 18.0mm p онлайн производитель

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг 18.0mm p
контакт

Подробнее
2022-09-27 17:01:26
Купить Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4" ранг 100.0mm p онлайн производитель

Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4" ранг 100.0mm p
контакт

Подробнее
2022-09-27 17:01:05
Купить Дискретные субстраты P/E P/P e/НАПРИМЕР законченное поверхностное Si приборов /G онлайн производитель

Дискретные субстраты P/E P/P e/НАПРИМЕР законченное поверхностное Si приборов /G
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:53:50
Купить 6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм онлайн производитель

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:23:04
Купить 5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm онлайн производитель

5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см онлайн производитель

SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:36
Купить Кремниевая пластина 5" CZ метода роста ориентация <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0> онлайн производитель

Кремниевая пластина 5" CZ метода роста ориентация <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:53:40
Купить Основное 2&quot; μm &lt;10 максимальное Capabilities&lt;5um кремниевой пластины стандартное онлайн производитель

Основное 2" μm <10 максимальное Capabilities<5um кремниевой пластины стандартное
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:52:11
Купить Кремниевая полупроводниковая пластина CZ 380um 525um 625um онлайн производитель

Кремниевая полупроводниковая пластина CZ 380um 525um 625um
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:51:27
Page 5 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.