Главная страница Продукцияp type silicon substrate онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

p type silicon substrate онлайн производство

(81)

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг Politype 4H p
контакт

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Подробнее

2022-10-09 10:12:00

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг 18.0mm p
контакт

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Подробнее

2022-09-27 17:01:26

Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4" ранг 100.0mm p
контакт

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Подробнее

2022-09-27 17:01:05

Дискретные субстраты P/E P/P e/НАПРИМЕР законченное поверхностное Si приборов /G
контакт

Discrete Devices 2-Inch Silicon Wafer P/E,P/P,E/E,G/G Surface Finished 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Silicon is the second most common ... Подробнее

2022-09-27 16:53:50

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Подробнее

2022-10-24 10:23:04

5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm
контакт

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer Overview GaN has many serious advantages over silicon, being more power ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см
контакт

5*10mm2 SP-face (10-11) Un-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices wafer Now a new material called Gallium Nitride (GaN) has the potential to replace silicon ... Подробнее

2025-04-04 22:43:36

Кремниевая пластина 5" CZ метода роста ориентация <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
контакт

Growth Method CZ Silicon Wafer Orientation ,, 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Silicon wafers after cutting have sharp edges, and they ... Подробнее

2022-09-27 16:53:40

350 ± 25μm Толщина Недопированный свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN N-типа с TTV ≤ 10μm и сопротивлением 0,1 Ω·cm
контакт

5*10mm2 SP-face (20-21)/(20-2-1) Un-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.1 Ω·cm Power device/laser wafer Overview Gallium Nitride (GaN) substrate is a high-quality single... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

Основное 2" μm <10 максимальное Capabilities<5um кремниевой пластины стандартное
контакт

Prime 2" Silicon Wafer TTV(μm) Standard Подробнее

2022-09-27 16:52:11

Page 5 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

p type silicon substrate онлайн производство

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг Politype 4H p
контакт

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг 18.0mm p
контакт

Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4" ранг 100.0mm p
контакт

Дискретные субстраты P/E P/P e/НАПРИМЕР законченное поверхностное Si приборов /G
контакт

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm
контакт

SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см
контакт

Кремниевая пластина 5" CZ метода роста ориентация <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
контакт

350 ± 25μm Толщина Недопированный свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN N-типа с TTV ≤ 10μm и сопротивлением 0,1 Ω·cm
контакт

Основное 2" μm <10 максимальное Capabilities<5um кремниевой пластины стандартное
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский