|
Подробная информация о продукте:
|
| Форма Кристл: | 4h | Название продукта: | спецификация субстрата карбида diameterSilicon 2inch (SiC) |
|---|---|---|---|
| Диаметр: | 50.8mm±0.38mm | Основная плоская ориентация: | {10-10} ±5.0° |
| Основная плоская длина: | ± 1.5mm 47.5mm | Вторичная плоская ориентация: | Кремний лицевой: 90°CW. от основного flat±5.0° |
| Плотность Micropipe: | ² ≤5cm- | Толщина a: | 260μm±25μm |
| Выделить: | 2-дюймовая подложка SiC,требовательная силовая электроника 2-дюймовая пластина,подложка SiC 350 мкм |
||
2-дюймовая подложка SiC уровня P 4H-N/SI<0001>260 мкмм ± 25 мкмm Для силовой электроники с высокими требованиями
JDCD03-001-001 2-дюймовая подложка SiC P-level 4H-N/SI<0001>260 мкмм ± 25 мкмм для силовых приборов и микроволновых устройств
Обзор
Высокое качество кристаллов для требовательной силовой электроники
По мере развития транспортных, энергетических и промышленных рынков спрос на надежную и высокопроизводительную силовую электронику продолжает расти.Чтобы удовлетворить потребности в улучшенных характеристиках полупроводников, производители устройств ищут полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, такие как наш портфель 4H SiC Prime Grade, состоящий из пластин карбида кремния (SiC) 4H n-типа.
| Спецификация подложки из карбида кремния (SiC) диаметром 2 дюйма | ||
| Оценка | Класс производства (класс P) | |
| Диметр | 50,8 мм ± 0,38 мм | |
| Толщина | 260 мкм ± 25 мкм | |
| Ориентация пластины | По оси: <0001>±0,5° для 4H-N/4H-SI, вне оси: 4,0° в сторону <1120 > ±0,5° для 4H-N/4H-SI | |
| Плотность микротрубки | ≤5см-² | |
| Удельное сопротивление | 4H-N | 0,015~0,028 Ом·см |
| 4H-СИ | >1E5Ом·см | |
| Первичная плоская ориентация | {10-10}±5,0° | |
| Первичная плоская длина | 15,9 мм ± 1,7 мм | |
| Первичная плоская длина | 8,0 мм ± 1,7 мм | |
| Вторичная плоская ориентация | Силикон лицевой стороной вверх: 90°CW.от Prime Flat ± 5,0 ° | |
| Исключение краев | 1мм | |
| TTV/Лук/Деформация | ≤15 мкм/≤25 мкм/≤25 мкм | |
| Шероховатость | Силиконовое лицо | CMP Ra≤0,5 нм |
| Углеродное лицо | Польский Ra≤1.0nm | |
| Краевые трещины при свете высокой интенсивности | Никто | |
| Шестигранные пластины с помощью света высокой интенсивности | Совокупная площадь≤1% | |
| Области политипа при ярком свете | Никто | |
| Царапины поверхности кремния от света высокой интенсивности | Суммарная длина от 3 царапин до 1 x диаметра пластины | |
| Edge Chips High By Intensity Light Light | Никто | |
| Загрязнение поверхности кремния высокой интенсивностью | Никто | |
| Упаковка | Кассета с несколькими пластинами или контейнер с одной пластиной | |
Примечание. Исключение края 3 мм используется для элементов, отмеченныха.
О нас
Мы специализируемся на переработке различных материалов в пластины, подложки и индивидуальные детали из оптического стекла. Компоненты широко используются в электронике, оптике, оптоэлектронике и многих других областях.Мы также тесно сотрудничаем со многими отечественными и зарубежными университетами, научно-исследовательскими институтами и компаниями, предоставляя индивидуальные продукты и услуги для их научно-исследовательских проектов.Наше видение - поддерживать хорошие отношения сотрудничества со всеми нашими клиентами благодаря нашей хорошей репутации.
Часто задаваемые вопросы
В: вы торговая компания или производитель?
Мы фабрика.
Q: Как долго ваше время доставки?
Обычно это 3-5 дней, если товар есть на складе.
или 7-10 дней, если товара нет на складе, в зависимости от количества.
Q: Предоставляете ли вы образцы?это бесплатно или дополнительно?
Да, мы можем предложить образец бесплатно, но не оплачиваем стоимость перевозки.
В: Каковы ваши условия оплаты?
Оплата <=5000USD, 100% предоплата.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T заранее, остаток перед отправкой.
Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)
Телефон: +8613372109561
