Пожалуйста, оставьте свой правильный адрес электронной почты и подробные требования.

Хорошо

Главная страница Продукцияgan онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(61)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

gan онлайн производство

(84)

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:19:21

SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности <0.1 Ω субстрата GaN одиночного Кристл·см приводит прибор в действие
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:18:12

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см приводит прибор в действие
контакт

Подробнее

2023-02-17 11:08:54

5*10mm2 SP-сторона (20-21)/(20-2-1) ООН-дал допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см
контакт

Подробнее

2023-02-17 11:10:47

Шероховатость лицевой поверхности GaN-подложек Ga
контакт

Подробнее

2022-10-08 16:58:42

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN
контакт

Подробнее

2022-10-08 16:57:10

Размер 520±10nm 2inch ВЕДОМОЕ Зелен GaN на слое кремниевой пластины 20nmContact
контакт

Подробнее

2023-02-17 11:16:39

2-дюймовый зеленый светодиод GaN на кремниевой пластине размером 520 ± 10 нм
контакт

Подробнее

2023-02-17 11:21:32

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c
контакт

Подробнее

2023-03-22 16:44:02

2inch ВЕДОМОЕ Сине GaN на лазере 455±10nm D'Onde Longueur кремниевой пластины
контакт

Подробнее

2023-02-17 11:40:11

Page 6 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

gan онлайн производство

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см
контакт

SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности <0.1 Ω субстрата GaN одиночного Кристл·см приводит прибор в действие
контакт

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см приводит прибор в действие
контакт

5*10mm2 SP-сторона (20-21)/(20-2-1) ООН-дал допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см
контакт

Шероховатость лицевой поверхности GaN-подложек Ga
контакт

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN
контакт

Размер 520±10nm 2inch ВЕДОМОЕ Зелен GaN на слое кремниевой пластины 20nmContact
контакт

2-дюймовый зеленый светодиод GaN на кремниевой пластине размером 520 ± 10 нм
контакт

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c
контакт

2inch ВЕДОМОЕ Сине GaN на лазере 455±10nm D'Onde Longueur кремниевой пластины
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский