 |
Субстраты SI GaN субстратов 2 дюймов u GaN 50.8mm2022-10-08 16:01:42 |
|
|
|
|
Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины2022-10-08 17:19:48 |
|
|
Свободное положение u/вафля 50,8 mm 350 SI GaN эпитаксиальная um2022-10-08 17:12:14 |
|
|
Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN2023-02-17 10:22:03 |
|
|
Субстраты GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны свободные стоя2023-02-17 10:57:06 |
|
|
|
|
Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN M Face Free Standing GaN субстраты2023-02-17 10:52:50 |
|
|
толщина 325ум 375ум вафли ГаН стороны 5 кс 10 мм2 м эпитаксиальная2022-10-08 16:48:05 |
|
|
2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN2023-03-22 16:40:13 |
