Пожалуйста, оставьте свой правильный адрес электронной почты и подробные требования.

Хорошо

Главная страница Продукцияgan онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(61)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

gan онлайн производство

(84)

C-сторона 10*10.5mm2 Fe-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:05:44

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная
контакт

Подробнее

2024-07-31 15:01:27

Толщина 350 ± 25 мкм 10 X 10,5 мм2 Отдельно стоящие подложки GaN
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:05:18

вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:22:16

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства
контакт

Подробнее

2024-07-31 15:01:27

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности <0.1 Ω субстрата GaN одиночного Кристл·см приводит прибор в действие/лазер w
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:15:40

SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:18:39

5*10 мм2 SP-Face (11-12) Нелегированная N-тип Отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN Удельное сопротивление
контакт

Подробнее

2023-02-17 11:06:00

4 дюйма N типа Si-данное допинг GaN на СИД см вафли SSP Resistivity<0.05 Ω сапфира, лазере, вафле PIN эпитаксиальной
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:33:16

C-сторона 10 x 10,5 mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящему субстрату GaN одиночного Кристл
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:04:40

Page 4 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

gan онлайн производство

C-сторона 10*10.5mm2 Fe-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см
контакт

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная
контакт

Толщина 350 ± 25 мкм 10 X 10,5 мм2 Отдельно стоящие подложки GaN
контакт

вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное
контакт

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства
контакт

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности <0.1 Ω субстрата GaN одиночного Кристл·см приводит прибор в действие/лазер w
контакт

SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см
контакт

5*10 мм2 SP-Face (11-12) Нелегированная N-тип Отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN Удельное сопротивление
контакт

4 дюйма N типа Si-данное допинг GaN на СИД см вафли SSP Resistivity<0.05 Ω сапфира, лазере, вафле PIN эпитаксиальной
контакт

C-сторона 10 x 10,5 mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящему субстрату GaN одиночного Кристл
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский