Пожалуйста, оставьте свой правильный адрес электронной почты и подробные требования.

Хорошо

Главная страница Продукцияgan онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(61)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

gan онлайн производство

(84)

4-дюймовый легированный магнием GaN P-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление ~ 10 Ом См Светодиодный лазер PIN Эпитаксиальная пластина
контакт

Подробнее

2024-07-31 15:01:27

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:13:01

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:18:59

SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:17:49

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:13:23

5*10mm2 SP-сторона (20-21)/(20-2-1) ООН-дал допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:16:01

10 X 10,5 мм2 Отдельно стоящие подложки GaN - 10 мкм ≤ BOW ≤ 10 мкм
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:08:55

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:06:26

µm ≤ 10 µm ±25 TTV толщины 350 субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:04:09

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:17:24

Page 5 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

gan онлайн производство

4-дюймовый легированный магнием GaN P-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление ~ 10 Ом См Светодиодный лазер PIN Эпитаксиальная пластина
контакт

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см
контакт

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер
контакт

SP-сторона 5*10mm2 (10-11) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см
контакт

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см
контакт

5*10mm2 SP-сторона (20-21)/(20-2-1) ООН-дал допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см
контакт

10 X 10,5 мм2 Отдельно стоящие подложки GaN - 10 мкм ≤ BOW ≤ 10 мкм
контакт

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°
контакт

µm ≤ 10 µm ±25 TTV толщины 350 субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл
контакт

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0,05 Ω·см приводит прибор в действие/лазер
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский