Главная страница Продукция Вафля GaN эпитаксиальная

5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства

Name: 5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD01-001-010
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Самые лучшие продукты

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства

Большие изображения : 5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Сучжоу Китай
Фирменное наименование:	GaNova
Сертификация:	UKAS/ISO9001:2015
Номер модели:	JDCD01-001-010

Оплата и доставка Условия:

Упаковывая детали:	Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Время доставки:	3-4 рабочих дня
Условия оплаты:	T/T
Поставка способности:	10000pcs/Month

контакт

5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства

описание

Размеры:	² 5 x 10mm	Толщина:	350 ±25µm
Ориентация:	(10-11) угол отклонения плоскости от оси А 0 ±0,5° (10-11) угол отклонения плоскости от оси С - 1 ±0	TTV:	≤ 10µm
Смычок:	≤ 10µm СМЫЧКА ≤ -10µm	Плотность дефекта макроса:	² 0cm⁻
Годная к употреблению область:	> 90% (исключение края)
Выделить:	0.1 Ω·cm GaN однокристаллический субстрат , 5*10mm2 GaN однокристаллический субстрат

SP-сторона 5*10.5mm2 (10-11) ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0="">

Генеративные враждебные сети (GANs) алгоритмические архитектуры которые используют 2 нервной системы, делая ямки одна против другого (таким образом «враждебное ") для генерации новых, синтетических примеров данных которые могут передать по-настоящему данные. Они использованы широко в поколении изображения, видео- поколении и поколении голоса.

(10до 11) смотрите на свободно стоящие субстраты GaN
Деталь	GaN-FS-SP-U-S	GaN-FS-SP-N-S	GaN-FS-SP-SI-S	Примечания: Угол дуги круга (r < 2="" mm="">
Размеры	5 x 10 mm²
Толщина	µm 350 ±25
Ориентация	(10 до 11) самолет с угла к -оси 0 ±0.5° (10 до 11) самолет с угла к C-оси - 1 ±0.2°
Тип кондукции	N типа	N типа	Полу-изолировать
Резистивность (300K)	< 0="">	< 0="">	> 106 Ω·см
TTV	µm ≤ 10
СМЫЧОК	- 10 µm ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µm
Шершавость лицевой поверхности	< 0=""> или < 0="">
Задняя шероховатость поверхности	0,5 μm ~1,5 вариант: 1~3 nm (точная земля); < 0="">
Плотность дислокации	От 1 x 105 до 3 x 106 см-2
Плотность дефекта макроса	0 см-2
Годная к употреблению область	> 90% (исключение края)
Пакет	Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в контейнере 6 PCS, под атмосферой азота

Приложение: Диаграмма угла miscut

5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства 1

Если ±0.5° δ₁ = 0, тогда (10 до 11) самолет с угла к -оси 0 ±0.5°.

Если δ₂ = - 1 ±0.2°, тогда (10 до 11), то самолет с угла к C-оси - 1 ±0.2°.

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

тег:

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Другие продукты

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Размеры: ± 50,8 1 mm

Название продукта: свободно стоящие субстраты GaN

Толщина: 350 ±25µm

Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

Смычок: - ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm

Плотность дефекта макроса: ² 0cm⁻

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

TTV: ≤ 10µm

Смычок: μm ≤ 20

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c

Название продукта: Субстрат GaN одиночный кристаллический

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Название продукта: 2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN

Размеры: 50,8 ± 1mm

Толщина: 350 ± 25μm

Квартира ориентации: ± 0.5˚ (1-100), 16 ± 1mm

5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства

5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства

0.1 Ω·cm GaN однокристаллический субстрат

5*10mm2 GaN однокристаллический субстрат

Вафля полупроводника нитрида галлия,

Свободные стоящие субстраты GaN,

Голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский