Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияВафля GaN эпитаксиальная

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см приводит прибор в действие

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см приводит прибор в действие

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл &lt; 0,1 Ω·см приводит прибор в действие
SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл &lt; 0,1 Ω·см приводит прибор в действие SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл &lt; 0,1 Ω·см приводит прибор в действие SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл &lt; 0,1 Ω·см приводит прибор в действие SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл &lt; 0,1 Ω·см приводит прибор в действие

Большие изображения :  SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см приводит прибор в действие

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Сучжоу Китай
Фирменное наименование: GaNova
Сертификация: UKAS/ISO9001:2015
Номер модели: JDCD01-001-013
Оплата и доставка Условия:
Упаковывая детали: Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Время доставки: 3-4 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10000pcs/Month

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см приводит прибор в действие

описание
Размеры: ² 5 x 10mm Ориентация: самолет (11-22) с угла к самолету M-оси 0 ±0.5° (11-22) с угла к C-оси - 1 ±0.2°
TTV: ≤ 10µm Смычок: - ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm
Плотность дефекта макроса: ² 0cm⁻ Годная к употреблению область: > 90% (исключение края)
Название продукта: (11-22) смотрите на свободно стоящие субстраты GaN Плотность дислокации: ⁵ From1 x10 к ² cm⁻ 3 x 10 ⁶

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг n типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической < 0="">


Обзор
С 1990s, оно было использовано обыкновенно в светоизлучающих диодах (СИД). Нитрид галлия дает с голубого света используемого для диск-чтения в Blu-ray. Дополнительно, нитрид галлия использован в приборах силы полупроводника, компонентах RF, лазерах, и photonics. В будущем, мы увидим GaN в сенсорной технике.

(11до 22) смотрите на свободно стоящие субстраты GaN
Деталь

GaN-FS-SP-U-S

GaN-FS-SP-N-S

GaN-FS-SP-SI-S

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см приводит прибор в действие 0

Примечания:

Угол дуги круга (r < 2="" mm="">

Размеры 5 x 10 mm2
Толщина µm 350 ±25
Ориентация

самолет (11-22) с угла к M-оси 0 ±0.5°

самолет (11-22) с угла к C-оси - 1 ±0.2°

Тип кондукции N типа N типа Полу-изолировать
Резистивность (300K) < 0=""> < 0=""> > 106 Ω·см
TTV µm ≤ 10
СМЫЧОК - 10 µm ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µm
Шершавость лицевой поверхности

< 0="">

или < 0="">

Задняя шероховатость поверхности

0,5 μm ~1,5

вариант: 1~3 nm (точная земля); < 0="">

Плотность дислокации От 1 x 105 до 3 x 106 см-2
Плотность дефекта макроса 0 см-2
Годная к употреблению область > 90% (исключение края)
Пакет Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в контейнере 6 PCS, под атмосферой азота

Приложение: Диаграмма угла miscut

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см приводит прибор в действие 1

Если ±0.5° δ1 = 0, тогда самолет (11-22) с угла к M-оси 0 ±0.5°.

Если δ2 = - 1 ±0.2°, тогда самолет (11-22) с угла к C-оси - 1 ±0.2°.

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

Контактная информация
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты