Главная страница Продукция Вафля GaN эпитаксиальная

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face

Name: Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD01-001-009
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Самые лучшие продукты

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face

Большие изображения : Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Сучжоу Китай
Фирменное наименование:	GaNova
Сертификация:	UKAS/ISO9001:2015
Номер модели:	JDCD01-001-009

Оплата и доставка Условия:

Упаковывая детали:	Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Время доставки:	3-4 рабочих дня
Условия оплаты:	T/T
Поставка способности:	10000pcs/Month

контакт

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face

описание

Размеры:	² 5 x 10mm	Толщина:	350 ±25µm
Смычок:	- ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm	Плотность дефекта макроса:	² 0cm⁻
Годная к употреблению область:	> 90% (исключение края)	Плотность дислокации:	От 1 x 10⁵ до 3 x 10⁶см⁻²
Выделить:	Радиочастотные устройства GaN однокристаллическая подложка , 5*10mm2 GaN однокристаллический субстрат , Свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN

M-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночной кристаллической > 106 Ω·вафля приборов RF см

Обзор
Тонкие вафли Epi обыкновенно использованы для приборов MOS ведущей кромки. Толстое Epi или Мульти-наслоенные эпитаксиальные вафли использованы для приборов главным образом для того чтобы контролировать электричество, и они вносят вклад в улучшающ эффективность энергопотребления.

Субстрат нитрида галлия (GaN) высококачественный субстрат одно-Кристл. Он сделан с первоначальным методом HVPE и технологическим прочессом вафли, который первоначально был начат в течение многих лет. Особенности высокое кристаллическое, хорошее единообразие, и главное качество поверхности.

M смотрит на свободно стоящие субстраты GaN
Деталь	GaN-FS-M-U-S	GaN-FS-M-N-S	GaN-FS-M-SI-S	Примечания: Угол дуги круга (r < 2="" mm="">
Размеры	5 x 10 mm²
Толщина	µm 350 ±25
Ориентация	Самолет m (1 до 100) с угла к -оси 0 ±0.5° Самолет m (1 до 100) с угла к C-оси - 1 ±0.2°
Тип кондукции	N типа	N типа	Полу-изолировать
Резистивность (300K)	< 0="">	< 0="">	> 106 Ω·см
TTV	µm ≤ 10
СМЫЧОК	- 10 µm ≤ 10 СМЫЧКА ≤ µm
Шершавость лицевой поверхности	< 0=""> или < 0="">
Задняя шероховатость поверхности	0,5 μm ~1,5 вариант: 1~3 nm (точная земля); < 0="">
Плотность дислокации	От 1 x 105 до 3 x 106 см-2
Плотность дефекта макроса	0 см-2
Годная к употреблению область	> 90% (исключение края)
Пакет	Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в контейнере 6 PCS, под атмосферой азота

Приложение: Диаграмма угла miscut

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face 1

Если степень ±0.5 δ₁ = 0, тогда самолет m (1 до 100) с угла к -оси 0 градусов ±0.5.

Если δ₂ = - 1 градус ±0.2, тогда самолет m (1 до 100), то с угла к C-оси - 1 градус ±0.2.

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

тег:

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Другие продукты

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Размеры: ± 50,8 1 mm

Название продукта: свободно стоящие субстраты GaN

Толщина: 350 ±25µm

Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

Смычок: - ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm

Плотность дефекта макроса: ² 0cm⁻

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

TTV: ≤ 10µm

Смычок: μm ≤ 20

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c

Название продукта: Субстрат GaN одиночный кристаллический

Размеры: ± 50,8 1 mm

Толщина: 350 ±25µm

Ориентация: Самолет c (0001) с угла к M-оси

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Название продукта: 2-дюймовые свободно стоящие субстраты U-GaN/SI-GaN

Размеры: 50,8 ± 1mm

Толщина: 350 ± 25μm

Квартира ориентации: ± 0.5˚ (1-100), 16 ± 1mm

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face

Радиочастотные устройства GaN однокристаллическая подложка

5*10mm2 GaN однокристаллический субстрат

Свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN

Вафля полупроводника нитрида галлия,

Свободные стоящие субстраты GaN,

Голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский