Главная страница Продукцияn type sic crystal онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

n type sic crystal онлайн производство

(26)

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Подробнее

2022-10-24 10:23:04

6-дюймовый 4H SiC N тип подложки 47,5 мм без вторичной плоской
контакт

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μc MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ... Подробнее

2022-10-24 10:26:17

150-мм пластина 4H SiC Semi изолирующая подложка 6 дюймов 350 мкм
контакт

6inch 4H-SiC substrate D-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω·cm for power and microwave devices Overview Sized for improved production With the 150 mm wafer size, we offer manufacturers the ... Подробнее

2022-10-24 10:22:12

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Подробнее

2024-10-29 11:49:58

Тип субстрат SiC n
контакт

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Currently silicon carbide (SiC) is widely used for ... Подробнее

2022-10-09 16:57:15

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-MOS Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.2/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC is used for the fabrication of very high-voltage and high-power ... Подробнее

2022-10-24 10:21:10

2-дюймовая подложка SiC 350 мкм для требовательной силовой электроники
контакт

P-Level 2-Inch SiC Substrate 4H-N/SI260μm±25μm For Demanding Power Electronics JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview High crystal quality ... Подробнее

2024-10-29 11:49:58

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

0.015Ω•cm—0.025Ω•cm SiC Epitaxial Wafer C-Face:Optical Polish,Si-Face CMP Overview A SiC wafer is a semiconductor material made of silicon. A silicon carbide wafer is a crystalline material that is made by ... Подробнее

2024-10-29 11:49:58

350um 4H SiC подложка
контакт

6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate N-Type Overview Silicon carbide (SiC) is a non-oxide ceramic ... Подробнее

2022-10-09 16:57:57

Тип н длина 47.5мм субстрата кремниевого карбида 6инч 4Х основная плоская
контакт

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... Подробнее

2022-10-24 10:22:34

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

n type sic crystal онлайн производство

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

6-дюймовый 4H SiC N тип подложки 47,5 мм без вторичной плоской
контакт

150-мм пластина 4H SiC Semi изолирующая подложка 6 дюймов 350 мкм
контакт

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

Тип субстрат SiC n
контакт

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

2-дюймовая подложка SiC 350 мкм для требовательной силовой электроники
контакт

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

350um 4H SiC подложка
контакт

Тип н длина 47.5мм субстрата кремниевого карбида 6инч 4Х основная плоская
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский