Отправить запрос |
Главная страница Продукцияn type sic crystal онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

n type sic crystal онлайн производство

(26)
Купить 0.015ohm.cm до 0.028ohm.cm кристалл карбида кремния типа N онлайн производитель

0.015ohm.cm до 0.028ohm.cm кристалл карбида кремния типа N
контакт

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Подробнее
2022-09-27 17:01:16
Купить вафля 6inch SiC эпитаксиальная онлайн производитель

вафля 6inch SiC эпитаксиальная
контакт

P-SBD Grade 6inch 4H-SiC substrate N-Type Off-Axis:4°toward ±0.5 ° 6inch 4H-SiC Substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μM MPD≤0.5/Cm2 Resistivity 0.015Ω•Cm—0.025Ω•cm For Power And Microw 6inch 4H-SiC substrate ... Подробнее
2022-10-09 16:56:20
Купить вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная онлайн производитель

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная
контакт

47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single ... Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить Слиток Кристл JDZJ01-001-002 SiC 4&quot; ранг d онлайн производитель

Слиток Кристл JDZJ01-001-002 SiC 4" ранг d
контакт

SiC ingot crystal 4" P grade SiC devices can operate at high frequencies (RF and microwave) because of the high saturated electron drift velocity of SiC. SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow ... Подробнее
2025-04-04 22:43:20
Купить 4&quot; удельное сопротивление 0.015ohm.cm кристалла кремниевого карбида ранга p к 0.028ohm.cm онлайн производитель

4" удельное сопротивление 0.015ohm.cm кристалла кремниевого карбида ранга p к 0.028ohm.cm
контакт

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Подробнее
2022-09-27 17:35:24
Купить 4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см онлайн производитель

4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см
контакт

4inch 4H-SiC substrate D-level N-Type 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview High Temperature Devices Because SiC has a high thermal conductivity, SiC ... Подробнее
2025-04-04 22:43:25
Купить кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4&quot; ранг 18.0mm p онлайн производитель

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг 18.0mm p
контакт

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Подробнее
2022-09-27 17:01:26
Купить JDZJ01-001-004 Кристалл SiC в слитках 6 дюймов, класс P онлайн производитель

JDZJ01-001-004 Кристалл SiC в слитках 6 дюймов, класс P
контакт

SiC ingot crystal 6" Pgrade Silicon carbide, exceedingly hard, synthetically produced crystalline compound of silicon and carbon. Its chemical formula is SiC. Since the late 19th century silicon carbide has ... Подробнее
2025-04-04 22:42:33
Купить Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4&quot; ранг 100.0mm p онлайн производитель

Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4" ранг 100.0mm p
контакт

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Подробнее
2022-09-27 17:01:05
Купить кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4&quot; ранг Politype 4H p онлайн производитель

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг Politype 4H p
контакт

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Подробнее
2022-10-09 10:12:00
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.