Отправить запрос |
Главная страница Продукцияn type sic crystal онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

n type sic crystal онлайн производство

(26)
Купить 0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский онлайн производитель

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить 2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства онлайн производитель

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:44
Купить Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI онлайн производитель

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI
контакт

Подробнее
2024-10-14 17:06:30
Купить Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm онлайн производитель

Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:21:46
Купить Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины онлайн производитель

Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины
контакт

Подробнее
2022-10-08 17:19:48
Купить SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм онлайн производитель

SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм
контакт

Подробнее
2022-10-08 16:41:01
Page 3 of 3|< 1 2 3 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.