Отправить запрос |
Главная страница Продукцияgan epitaxial wafer онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

gan epitaxial wafer онлайн производство

(84)
Купить Толщина буфера AlGaN 600 нм 2-дюймовый синий светодиод GaN на кремниевой пластине онлайн производитель

Толщина буфера AlGaN 600 нм 2-дюймовый синий светодиод GaN на кремниевой пластине
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:42:47
Купить 4inch GaN на сапфире вафли СИД вафли сапфира голубом зеленом плоском 100 mm онлайн производитель

4inch GaN на сапфире вафли СИД вафли сапфира голубом зеленом плоском 100 mm
контакт

Подробнее
2022-10-08 17:16:14
Купить -сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см онлайн производитель

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Вафля приборов RF см
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:31
Купить Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face онлайн производитель

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см онлайн производитель

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг SI типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл > 10 ⁶ Ω·Прибор RF см
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:33
Купить 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания онлайн производитель

2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:40:06
Купить Толщина 325ум вафли нитрида галлия ГаН - 375ум Фрестандинг онлайн производитель

Толщина 325ум вафли нитрида галлия ГаН - 375ум Фрестандинг
контакт

Подробнее
2022-10-08 17:00:13
Купить Субстраты SI GaN субстратов 2 дюймов u GaN 50.8mm онлайн производитель

Субстраты SI GaN субстратов 2 дюймов u GaN 50.8mm
контакт

Подробнее
2024-10-14 17:06:30
Купить Шероховатость лицевой поверхности GaN-подложек Ga онлайн производитель

Шероховатость лицевой поверхности GaN-подложек Ga
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:42:49
Купить вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное онлайн производитель

вафля полупроводника нитрида галлия 50.8mm положение 2 дюймов свободное
контакт

Подробнее
2022-10-08 17:22:16
Page 6 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.