Отправить запрос |
Главная страница Продукцияgan epitaxial wafer онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

gan epitaxial wafer онлайн производство

(84)
Купить 5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Сопротивляемость 0,05 Ω·cm онлайн производитель

5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Сопротивляемость 0,05 Ω·cm
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить 4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида онлайн производитель

4-дюймовый допированный свободностоящий субстрат галлиевого нитрида
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:42:36
Купить 5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства онлайн производитель

5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить 10 X 10,5 мм2 C Лицо Недопированный N Тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат онлайн производитель

10 X 10,5 мм2 C Лицо Недопированный N Тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить Устройство питания 5x10mm2 Недопированный N-тип свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN с сопротивлением 0,1 Ω·cm и BOW в пределах 10μm онлайн производитель

Устройство питания 5x10mm2 Недопированный N-тип свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN с сопротивлением 0,1 Ω·cm и BOW в пределах 10μm
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм онлайн производитель

SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм
контакт

Подробнее
2022-10-08 16:41:01
Купить Тип субстрат SiC n онлайн производитель

Тип субстрат SiC n
контакт

Подробнее
2022-10-09 16:57:15
Купить Плоская вафля Thk 440um субстрата сапфира длины (mm) обломок 16 СИД онлайн производитель

Плоская вафля Thk 440um субстрата сапфира длины (mm) обломок 16 СИД
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:24:09
Купить Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um онлайн производитель

Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um
контакт

Подробнее
2023-02-17 10:18:05
Купить полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный онлайн производитель

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Page 8 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.