Главная страница Продукцияgan epitaxial wafer онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

gan epitaxial wafer онлайн производство

(84)

Свободное положение u/вафля 50,8 mm 350 SI GaN эпитаксиальная um
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:12:14

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN M Face Free Standing GaN субстраты
контакт

Подробнее

2023-02-17 10:52:50

Субстраты GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны свободные стоя
контакт

Подробнее

2023-02-17 10:57:06

толщина 325ум 375ум вафли ГаН стороны 5 кс 10 мм2 м эпитаксиальная
контакт

Подробнее

2024-11-18 19:17:19

Субстраты 325um TTV 10um GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны m свободные стоя
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:04:46

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN
контакт

Подробнее

2022-10-09 17:04:59

эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI
контакт

Подробнее

2024-10-29 11:49:57

4 дюйма N типа Si-данное допинг GaN на СИД см вафли SSP Resistivity<0.05 Ω сапфира, лазере, вафле PIN эпитаксиальной
контакт

Подробнее

2025-04-04 22:42:55

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная
контакт

Подробнее

2025-04-04 22:43:47

Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:37:25

Page 2 of 9|< << 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

gan epitaxial wafer онлайн производство

Свободное положение u/вафля 50,8 mm 350 SI GaN эпитаксиальная um
контакт

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN M Face Free Standing GaN субстраты
контакт

Субстраты GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны свободные стоя
контакт

толщина 325ум 375ум вафли ГаН стороны 5 кс 10 мм2 м эпитаксиальная
контакт

Субстраты 325um TTV 10um GaN эпитаксиальной вафли GaN стороны m свободные стоя
контакт

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN
контакт

эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI
контакт

4 дюйма N типа Si-данное допинг GaN на СИД см вафли SSP Resistivity<0.05 Ω сапфира, лазере, вафле PIN эпитаксиальной
контакт

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная
контакт

Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский