Отправить запрос |
Главная страница Продукцияgan epitaxial wafer онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

gan epitaxial wafer онлайн производство

(84)
Купить 4 дюйма 4H-SiC субстрат P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Сопротивляемость≥1E9Ω·Cm Для мощной микроволновой печи онлайн производитель

4 дюйма 4H-SiC субстрат P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Сопротивляемость≥1E9Ω·Cm Для мощной микроволновой печи
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить Задняя шероховатость поверхности 0.8um к 1.2um сделала по образцу ширину 16mm субстратов сапфира онлайн производитель

Задняя шероховатость поверхности 0.8um к 1.2um сделала по образцу ширину 16mm субстратов сапфира
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:46:21
Купить Сапфир плоского угла края 16мм сделал по образцу переднюю поверхность субстратов онлайн производитель

Сапфир плоского угла края 16мм сделал по образцу переднюю поверхность субстратов
контакт

Подробнее
2022-10-09 10:43:37
Купить Сделанный по образцу субстрат 50.80mm обломока СИД субстратов субстрата сапфира 2inch 2inch онлайн производитель

Сделанный по образцу субстрат 50.80mm обломока СИД субстратов субстрата сапфира 2inch 2inch
контакт

Подробнее
2022-10-09 10:43:12
Page 9 of 9|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.