Вафля Sic эпитаксиальная

Самые лучшие продукты

350um 4H SiC подложка

Тип субстрат SiC n

вафля 6inch SiC эпитаксиальная

КИТАЙ Вафля Sic эпитаксиальная

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Название продукта:Вафля Sic эпитаксиальная

Форма Кристл:4h

Поверхностный финиш:C-сторона: Оптически польское, Si-сторона: CMP
4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см

Название продукта:Вафля Sic эпитаксиальная

Форма Кристл:4h

Диаметр:100,0 мм+0,0/-0,5 мм
2 дюймовое устройство высокой электронной мобильности транзистор эпитаксиальная пластина

Размеры:2 дюйма

Сопротивляемость ((300K):< 350 Ω/□

Концентрация электронов:> 1800 см2/(В·С)
2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания

Размеры:2 дюйма

Сопротивляемость ((300K):< 350 Ω/□

Концентрация электронов:> 1800 см2/(В·С)
6 дюймов GaN на кремниевом HEMT Epi Wafer Power Device Галлиевый нитрид GaN на Си

Размеры:6 дюймов

Сопротивляемость ((300K):< 350 Ω/□

Концентрация электронов:> 9,0E12 см-2
Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина

Размер:2 - 4 дюйма

Количество мин заказа:5

Упаковывая детали:Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в контейнере 25PCS, под атмосферой азота
2 дюйма GaN на кремниевом зеленом светодиодном эпи вафле Галлиевый нитрид на кремниевом

Размер:2 дюйма

Количество мин заказа:5

Упаковывая детали:Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в контейнере 25PCS, под атмосферой азота
2 дюйма GaN на кремниевом Синий LD эпи вафли GaN синий лазер на кремниевом

Размер:2 дюйма

Количество мин заказа:5

Упаковывая детали:Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в контейнере 25PCS, под атмосферой азота
GaN фиолетовый лазер на кремниевом 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке UV LD Epi пластинке

Размеры:2 дюйма

IQE:неизвестно

Внутренние потери:неизвестный
Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si

Размеры:2 дюйма

Сопротивляемость ((300K):< 350 Ω/□

Концентрация электронов:> 9,0E12 см-2
4 дюйма UGaN на кремниевом недопированном галлиевом нитриде на кремниевом эпитаксиальном пластинке

Размер:4inch

Бикристаллический002:<550 arcsec

Бикристаллические102:<550 arcsec
4-дюймовый GaN на Силиконовом зеленом светодиодном эпи вафле Си Си эпитаксиальные вафли

Количество мин заказа:5

Цена:1000

Упаковывая детали:Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в контейнере 25PCS, под атмосферой азота

Page 3 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Обзор категории：

Вафля Sic эпитаксиальная

350um 4H SiC подложка

Тип субстрат SiC n

вафля 6inch SiC эпитаксиальная

КИТАЙ Вафля Sic эпитаксиальная

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см

2 дюймовое устройство высокой электронной мобильности транзистор эпитаксиальная пластина

2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания

6 дюймов GaN на кремниевом HEMT Epi Wafer Power Device Галлиевый нитрид GaN на Си

Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина

2 дюйма GaN на кремниевом зеленом светодиодном эпи вафле Галлиевый нитрид на кремниевом

2 дюйма GaN на кремниевом Синий LD эпи вафли GaN синий лазер на кремниевом

GaN фиолетовый лазер на кремниевом 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке UV LD Epi пластинке

Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si

4 дюйма UGaN на кремниевом недопированном галлиевом нитриде на кремниевом эпитаксиальном пластинке

4-дюймовый GaN на Силиконовом зеленом светодиодном эпи вафле Си Си эпитаксиальные вафли

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский