КИТАЙ Вафля Sic эпитаксиальная

• 

  4-дюймовый GaN на Силиконовом зеленом светодиодном эпи вафле Си Си эпитаксиальные вафли

  Количество мин заказа:5

  Цена:1000

  Упаковывая детали:Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в контейнере 25PCS, под атмосферой азота

  Контакт
• 

  субстрат P на уровне SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω 4inch 4H-SiC·см для силы и микроволны

  Название продукта:Вафля Sic эпитаксиальная

  Диаметр:100,0 мм+0,0/-0,5 мм

  Поверхностная ориентация:{0001}±0,2°

  Контакт
• 

  4-дюймовый 4H-SiC субстрат P-уровень SI 500,0 ± 25,0 мкм MPD≤0,3/см2 Сопротивление≥1E9Ω·см для мощности и микроволн

  Название продукта:Вафля Sic эпитаксиальная

  Диаметр:100,0 мм+0,0/-0,5 мм

  Поверхностная ориентация:{0001}±0,2°

  Контакт