Главная страница Продукцияsilicon carbide crystal 4h онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(61)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

silicon carbide crystal 4h онлайн производство

(28)

150,0 мм + форма кристалла вафли 4Х СиК 0мм/-0.2мм эпитаксиальная кристаллическая
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:20:57

4-дюймовый 4H-SiC субстрат P-уровень SI 500,0 ± 25,0 мкм MPD≤0,3/см2 Сопротивление≥1E9Ω·см для мощности и микроволн
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:37:50

JDZJ01-001-004 Кристалл SiC в слитках 6 дюймов, класс P
контакт

Подробнее

2022-09-29 15:53:31

Политип Нет Разрешено SiC Эпитаксиальная пластина P-MOS P-SBD D Grade
контакт

Подробнее

2023-02-17 17:47:57

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

Подробнее

2023-02-17 15:51:34

2-дюймовая подложка SiC 350 мкм для требовательной силовой электроники
контакт

Подробнее

2023-02-17 15:34:54

Тип субстрат SiC n
контакт

Подробнее

2022-10-09 16:57:15

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:25:55

Page 3 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

silicon carbide crystal 4h онлайн производство

150,0 мм + форма кристалла вафли 4Х СиК 0мм/-0.2мм эпитаксиальная кристаллическая
контакт

4-дюймовый 4H-SiC субстрат P-уровень SI 500,0 ± 25,0 мкм MPD≤0,3/см2 Сопротивление≥1E9Ω·см для мощности и микроволн
контакт

JDZJ01-001-004 Кристалл SiC в слитках 6 дюймов, класс P
контакт

Политип Нет Разрешено SiC Эпитаксиальная пластина P-MOS P-SBD D Grade
контакт

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

2-дюймовая подложка SiC 350 мкм для требовательной силовой электроники
контакт

Тип субстрат SiC n
контакт

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский