Главная страница Продукцияsilicon carbide crystal 4h онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(61)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

silicon carbide crystal 4h онлайн производство

(28)

вафля ≤0.2 /cm2 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•см 150,0 mm +0mm/-0.2mm
контакт

Подробнее

2023-02-17 15:17:12

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:26:24

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

Подробнее

2023-02-17 15:19:25

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:21:10

350um 4H SiC подложка
контакт

Подробнее

2022-10-09 16:57:57

вафля 150.0mm +0mm/-0.2mm SiC эпитаксиальная отсутствие вторичной квартиры 3mm
контакт

Подробнее

2023-02-17 15:10:26

эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 47,5 мм ± 1,5 мм
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:23:40

Уровень п субстрат СиК 2 дюймов для силовых приборов и приборов микроволны
контакт

Подробнее

2023-02-17 15:30:04

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная
контакт

Подробнее

2023-02-17 15:11:59

вафля 6inch SiC эпитаксиальная
контакт

Подробнее

2022-10-09 16:56:20

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

silicon carbide crystal 4h онлайн производство

вафля ≤0.2 /cm2 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•см 150,0 mm +0mm/-0.2mm
контакт

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

350um 4H SiC подложка
контакт

вафля 150.0mm +0mm/-0.2mm SiC эпитаксиальная отсутствие вторичной квартиры 3mm
контакт

эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 47,5 мм ± 1,5 мм
контакт

Уровень п субстрат СиК 2 дюймов для силовых приборов и приборов микроволны
контакт

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная
контакт

вафля 6inch SiC эпитаксиальная
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский