Главная страница Продукция Вафля Sic эпитаксиальная

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы

Name: Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Самые лучшие продукты

350um 4H SiC подложка

Тип субстрат SiC n

вафля 6inch SiC эпитаксиальная

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы

Большие изображения : Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Сучжоу Китай
Фирменное наименование:	GaNova
Сертификация:	UKAS/ISO9001:2015

Оплата и доставка Условия:

Упаковывая детали:	Вакуумная упаковка в чистых помещениях класса 10000, в кассетах по 25 шт. или в одинарных вафельных
Время доставки:	3-4 рабочих дня
Условия оплаты:	T/T

контакт

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы

описание

Форма Кристл:	4h	Название продукта:	Вафля Sic эпитаксиальная
Диаметр:	150.0mm +0mm/-0.2mm	Поверхностная ориентация:	Внеосевой: ° 4°toward <11-20>±0.5
Основная плоская длина:	± 1.5mm 47.5mm	Вторичная плоская длина:	Отсутствие вторичной квартиры
Ортогональное Misorientation:	±5.0°	Толщина a:	350.0μm± 25.0μm
Выделить:	Вафля полупроводника 2 дюймов , Вафля полупроводника приборов микроволны , Уровень p вафли полупроводника

Субстрат P на уровне 4H-N/SI260μm±25μm JDCD03-001-001 2-дюймовый SiC<0001> для приборов силы и приборов микроволны

Обзор

Уникальные электронные и термальные свойства кремниевого карбида (SiC) сделать его идеально одетое для предварительных высокомощных и высокочастотных полупроводниковых устройств которые работают хорошо вн е возможностей или приборов кремния или арсенида галлия. Главные преимущества SiC основанной на технологии включают уменьшили переключить потери, более высокую плотность мощности, лучшее тепловыделение, и увеличенную возможность ширины полосы частот.

Свойство	Ранг P-MOS	Ранг P-SBD	Ранг d
Форма Кристл	4H
Polytype	Никакие позволили		Area≤5%
(MPD) ^a	≤0.2 /cm2	≤0.5 /cm2	≤5 /cm2
Плиты наговора	Никакие позволили		Area≤5%
Шестиугольное Polycrystal	Никакие позволили
Включения ^a	Area≤0.05%	Area≤0.05%	N/A
Резистивность	0.015Ω•cm-0.025Ω•см	0.015Ω•cm-0.025Ω•см	0.014Ω•cm-0.028Ω•см
(EPD) ^a	≤4000/cm2	≤8000/cm2	N/A
(ТЕД) ^a	≤3000/cm2	≤6000/cm2	N/A
(BPD) ^a	≤1000/cm2	≤2000/cm2	N/A
(TSD) ^a	≤600/cm2	≤1000/cm2	N/A
Штабелируя недостаток	Зона ≤0.5%	Зона ≤1%	N/A
Поверхностное загрязнение металла	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, k, ti, Ca, v, Mn) ≤1E11 см^-2
Диаметр	150,0 mm +0mm/-0.2mm
Поверхностная ориентация	Внеосевой: ° <11-20>4°toward ±0.5
Основная плоская длина	47,5 mm ± 1,5 mm
Вторичная плоская длина	Отсутствие вторичной квартиры
Основная плоская ориентация	Параллельное to±1°<11-20>
Вторичная плоская ориентация	N/A
Ортогональное Misorientation	±5.0°
Поверхностный финиш	C-сторона: Оптически польское, Si-сторона: CMP
Край вафли	Скашивать
Шероховатость поверхности (10μm×10μm)	Сторона Ra≤0.20 nm Si; Сторона Ra≤0.50 nm c
Толщина ^a	μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10mm) ^a	≤2μm		≤3μm
(TTV) ^a	≤6μm		≤10μm
(СМЫЧОК) ^a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Искривление) ^a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Обломоки/выделяют	Никакие позволили ширину и глубину ≥0.5mm		Ширина и глубина Qty.2 ≤1.0 mm
Царапины ^a (Сторона Si, CS8520)	≤5 и кумулятивный диаметр Length≤0.5×Wafer		≤5 и кумулятивное Length≤1.5×Wafer Диаметр
TUA (2mm*2mm)	≥98%	≥95%	N/A
Отказы	Никакие позволили
Загрязнение	Никакие позволили
Свойство	Ранг P-MOS	Ранг P-SBD	Ранг d
Исключение края	3mm

Примечание: исключение края 3mm использовано для деталей отмеченных с ^A.

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

тег:

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Другие продукты

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

Название продукта: Вафля Sic эпитаксиальная

Поверхностная ориентация: Внеосевой: ° 4°toward <11-20>±0.5

Polytype: Никакие позволили

Ортогональное Misorientation: ±5.0°

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0

Название продукта: SiC-подложка

Форма Кристл: 4h

Диаметр: 150.0mm+0mm/-0.2mm

Поверхностная ориентация: Внеосевой: ° 4°toward <11-20>±0.5

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

Название продукта: Вафля Sic эпитаксиальная

Форма Кристл: 4h

Край вафли: скашивать

Диаметр: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm

Название продукта: Вафля Sic эпитаксиальная

Форма Кристл: 4h

Диаметр: 150,0 мм+0,0/-0,2 мм

Поверхностная ориентация: {0001}±0,2°

P-MOS вафли 4H SiC эпитаксиальный ранг 150,0 mm +0mm/-0.2mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Название продукта: Вафля Sic эпитаксиальная

Диаметр: 150.0mm +0mm/-0.2mm

Поверхностная ориентация: Внеосевой: ° 4°toward <11-20>±0.5

Основная плоская длина: ± 1.5mm 47.5mm

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

350um 4H SiC подложка

Тип субстрат SiC n

вафля 6inch SiC эпитаксиальная

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы

Вафля полупроводника 2 дюймов

Вафля полупроводника приборов микроволны

Уровень p вафли полупроводника

Вафли кремниевого карбида эпитаксиальные,

Тип вафля n Sic эпитаксиальная,

Сторона c вафли Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm

P-MOS вафли 4H SiC эпитаксиальный ранг 150,0 mm +0mm/-0.2mm 47,5 mm ± 1,5 mm

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский