Отправить запрос |
Главная страница Продукцияsilicon carbide crystal 4h онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

silicon carbide crystal 4h онлайн производство

(28)
Купить вафля 6inch SiC эпитаксиальная онлайн производитель

вафля 6inch SiC эпитаксиальная
контакт

Подробнее
2022-10-09 16:56:20
Купить 150,0 мм + форма кристалла вафли 4Х СиК 0мм/-0.2мм эпитаксиальная кристаллическая онлайн производитель

150,0 мм + форма кристалла вафли 4Х СиК 0мм/-0.2мм эпитаксиальная кристаллическая
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:20:57
Купить вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная онлайн производитель

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить Политип Нет Разрешено SiC Эпитаксиальная пластина P-MOS P-SBD D Grade онлайн производитель

Политип Нет Разрешено SiC Эпитаксиальная пластина P-MOS P-SBD D Grade
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить 0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский онлайн производитель

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить 2-дюймовая подложка SiC 350 мкм для требовательной силовой электроники онлайн производитель

2-дюймовая подложка SiC 350 мкм для требовательной силовой электроники
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить Тип субстрат SiC n онлайн производитель

Тип субстрат SiC n
контакт

Подробнее
2022-10-09 16:57:15
Купить Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы онлайн производитель

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:25:55
Page 3 of 3|< 1 2 3 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.