Главная страница Продукцияsilicon carbide crystal 4h онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

silicon carbide crystal 4h онлайн производство

(28)

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг Politype 4H p
контакт

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without ... Подробнее

2022-10-09 10:12:00

4" удельное сопротивление 0.015ohm.cm кристалла кремниевого карбида ранга p к 0.028ohm.cm
контакт

4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor ... Подробнее

2022-09-27 17:35:24

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг 18.0mm p
контакт

100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic ... Подробнее

2022-09-27 17:01:26

Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4" ранг 100.0mm p
контакт

Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than ... Подробнее

2022-09-27 17:01:05

0.015ohm.cm до 0.028ohm.cm кристалл карбида кремния типа N
контакт

0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve ... Подробнее

2022-09-27 17:01:16

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

6inch 4H-SiC substrate N-Type P-SBD Grade 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm for power and microwave devices Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced ... Подробнее

2022-10-24 10:23:04

Тип н длина 47.5мм субстрата кремниевого карбида 6инч 4Х основная плоская
контакт

6inch 4H-SiC substrate N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm for power and microwave devices Overview Silicon Carbide (SiC) is a covalent network solid. If we look at its ... Подробнее

2022-10-24 10:22:34

кремниевый карбид 4" 4H Politype одиночного Кристл сторона Si ранга p
контакт

JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short ... Подробнее

2022-09-27 17:01:35

уровень п субстрата кремниевого карбида 260μм для силовых приборов и приборов микроволны
контакт

4H-N/SI260μm±25μm 2-Inch SiC Substrate P-Level For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview We ... Подробнее

2024-10-29 11:49:58

Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm
контакт

P-Level SI-Type 6inch 4H-SiC Semi insulating substrate 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm 6inch 4H-SiC substrate P-level SI-Type 350.0±25.0μm MPD≤0.5/cm2 Resistivity≥1E9Ω·cm for power and microwave ... Подробнее

2022-10-24 10:21:46

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

silicon carbide crystal 4h онлайн производство

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг Politype 4H p
контакт

4" удельное сопротивление 0.015ohm.cm кристалла кремниевого карбида ранга p к 0.028ohm.cm
контакт

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг 18.0mm p
контакт

Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4" ранг 100.0mm p
контакт

0.015ohm.cm до 0.028ohm.cm кристалл карбида кремния типа N
контакт

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

Тип н длина 47.5мм субстрата кремниевого карбида 6инч 4Х основная плоская
контакт

кремниевый карбид 4" 4H Politype одиночного Кристл сторона Si ранга p
контакт

уровень п субстрата кремниевого карбида 260μм для силовых приборов и приборов микроволны
контакт

Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский