Отправить запрос |
Главная страница Продукцияgan онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

gan онлайн производство

(99)
Купить Тип субстрат SiC n онлайн производитель

Тип субстрат SiC n
контакт

Подробнее
2022-10-09 16:57:15
Купить полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный онлайн производитель

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить Плоская вафля Thk 440um субстрата сапфира длины (mm) обломок 16 СИД онлайн производитель

Плоская вафля Thk 440um субстрата сапфира длины (mm) обломок 16 СИД
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:24:09
Купить JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать онлайн производитель

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка онлайн производитель

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить 4 дюйма 4H-SiC субстрат P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Сопротивляемость≥1E9Ω·Cm Для мощной микроволновой печи онлайн производитель

4 дюйма 4H-SiC субстрат P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Сопротивляемость≥1E9Ω·Cm Для мощной микроволновой печи
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подложки Га2О3 онлайн производитель

Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подложки Га2О3
контакт

Подробнее
2023-02-17 14:30:35
Купить Зеркало вафли сапфира особой чистоты Ал2О3 > 99,995% отполировало ЭПИ готовое онлайн производитель

Зеркало вафли сапфира особой чистоты Ал2О3 > 99,995% отполировало ЭПИ готовое
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:57
Купить Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um онлайн производитель

Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um
контакт

Подробнее
2023-02-17 10:18:05
Page 10 of 10|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.