Отправить запрос |
Главная страница Продукцияsic epitaxial wafer c face онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

sic epitaxial wafer c face онлайн производство

(33)
Купить 6-дюймовый 4H SiC N тип подложки 47,5 мм без вторичной плоской онлайн производитель

6-дюймовый 4H SiC N тип подложки 47,5 мм без вторичной плоской
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:26:17
Купить уровень п субстрата кремниевого карбида 260μм для силовых приборов и приборов микроволны онлайн производитель

уровень п субстрата кремниевого карбида 260μм для силовых приборов и приборов микроволны
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить 4 дюйма 4H-SiC субстрат P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Сопротивляемость≥1E9Ω·Cm Для мощной микроволновой печи онлайн производитель

4 дюйма 4H-SiC субстрат P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Сопротивляемость≥1E9Ω·Cm Для мощной микроволновой печи
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить 150-мм пластина 4H SiC Semi изолирующая подложка 6 дюймов 350 мкм онлайн производитель

150-мм пластина 4H SiC Semi изолирующая подложка 6 дюймов 350 мкм
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:22:12
Купить Без вторичной плоской подложки SiC 150,0 мм 47,5 мм онлайн производитель

Без вторичной плоской подложки SiC 150,0 мм 47,5 мм
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:24:09
Купить 4 дюйма 4H-SiC Субстрат P-уровне SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Сопротивляемость≥1E5Ω·cm Для мощной микроволновой печи онлайн производитель

4 дюйма 4H-SiC Субстрат P-уровне SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Сопротивляемость≥1E5Ω·cm Для мощной микроволновой печи
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить 4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см онлайн производитель

4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:25
Купить Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы онлайн производитель

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:25:55
Купить тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0 онлайн производитель

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:21:10
Купить 2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства онлайн производитель

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:44
Page 3 of 4|< 1 2 3 4 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.