Главная страница Продукцияsic epitaxial wafer c face онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(62)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

sic epitaxial wafer c face онлайн производство

(26)

6-дюймовый 4H SiC N тип подложки 47,5 мм без вторичной плоской
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:26:17

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:21:10

уровень п субстрата кремниевого карбида 260μм для силовых приборов и приборов микроволны
контакт

Подробнее

2023-02-17 17:14:50

SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм
контакт

Подробнее

2022-10-08 16:41:01

Тип н длина 47.5мм субстрата кремниевого карбида 6инч 4Х основная плоская
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:22:34

4-дюймовый 4H-SiC субстрат P-уровень SI 500,0 ± 25,0 мкм MPD≤0,3/см2 Сопротивление≥1E9Ω·см для мощности и микроволн
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:37:50

Page 3 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

sic epitaxial wafer c face онлайн производство

6-дюймовый 4H SiC N тип подложки 47,5 мм без вторичной плоской
контакт

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

уровень п субстрата кремниевого карбида 260μм для силовых приборов и приборов микроволны
контакт

SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм
контакт

Тип н длина 47.5мм субстрата кремниевого карбида 6инч 4Х основная плоская
контакт

4-дюймовый 4H-SiC субстрат P-уровень SI 500,0 ± 25,0 мкм MPD≤0,3/см2 Сопротивление≥1E9Ω·см для мощности и микроволн
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский