Отправить запрос |
Главная страница Продукцияfree standing gan substrates онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

free standing gan substrates онлайн производство

(57)
Купить Монокристаллическая пластина нитрида галлия GaN типа SI онлайн производитель

Монокристаллическая пластина нитрида галлия GaN типа SI
контакт

Подробнее
2022-10-08 15:51:24
Купить вафля Ун эпитаксиальной вафли стороны Сп 5кс10мм2 легированная Си тип субстрат Ган одиночный кристаллический онлайн производитель

вафля Ун эпитаксиальной вафли стороны Сп 5кс10мм2 легированная Си тип субстрат Ган одиночный кристаллический
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:57
Купить эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI онлайн производитель

эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:57
Купить толщина 325ум 375ум вафли ГаН стороны 5 кс 10 мм2 м эпитаксиальная онлайн производитель

толщина 325ум 375ум вафли ГаН стороны 5 кс 10 мм2 м эпитаксиальная
контакт

Подробнее
2024-11-18 19:17:19
Купить Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n онлайн производитель

Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n
контакт

Подробнее
2022-10-08 16:00:57
Купить вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг онлайн производитель

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить ООН дала допинг типу стороне n субстрата 5x10mm2 m GaN одиночного Кристл онлайн производитель

ООН дала допинг типу стороне n субстрата 5x10mm2 m GaN одиночного Кристл
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:57
Купить Субстрат GaN одиночный кристаллический онлайн производитель

Субстрат GaN одиночный кристаллический
контакт

Подробнее
2023-02-17 17:55:56
Купить Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm онлайн производитель

Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:57
Купить Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN онлайн производитель

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN
контакт

Подробнее
2022-10-09 17:04:59
Page 5 of 6|< 1 2 3 4 5 6 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.