Главная страница Продукцияfree standing gan substrates онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(62)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

free standing gan substrates онлайн производство

(54)

Шероховатость лицевой поверхности GaN-подложек Ga
контакт

Подробнее

2022-10-08 16:58:42

Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n
контакт

Подробнее

2022-10-08 16:00:57

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг
контакт

Подробнее

2023-02-17 17:50:47

Субстрат GaN одиночный кристаллический
контакт

Подробнее

2023-02-17 17:55:56

Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm
контакт

Подробнее

2023-02-17 17:52:26

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка
контакт

Подробнее

2023-02-17 14:49:57

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать
контакт

Подробнее

2022-10-09 10:30:00

JDCD04-001-003 10x10 мм2 100(Выкл. 6°) Легированный Fe Отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка
контакт

Подробнее

2022-10-09 10:29:17

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный
контакт

Подробнее

2023-02-17 14:49:22

Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подложки Га2О3
контакт

Подробнее

2023-02-17 14:30:35

Page 5 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

free standing gan substrates онлайн производство

Шероховатость лицевой поверхности GaN-подложек Ga
контакт

Одиночная ООН стороны вафли 2inch c Кристл GaN эпитаксиальная дала допинг типу n
контакт

вафля Si 12.5mm 2inch Freestanding n GaN Epi дала допинг
контакт

Субстрат GaN одиночный кристаллический
контакт

Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm
контакт

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка
контакт

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать
контакт

JDCD04-001-003 10x10 мм2 100(Выкл. 6°) Легированный Fe Отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка
контакт

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный
контакт

Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подложки Га2О3
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский