Главная страница Продукцияfree standing gan substrates онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(62)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

free standing gan substrates онлайн производство

(54)

µm ≤ 10 µm ±25 TTV толщины 350 субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:04:09

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:06:26

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c
контакт

Подробнее

2023-03-22 16:44:02

Монокристаллическая полупроводниковая пластина нитрида галлия TTV 10um
контакт

Подробнее

2023-02-17 17:57:41

Page 6 of 6|< << 1 2 3 4 5 6 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

free standing gan substrates онлайн производство

µm ≤ 10 µm ±25 TTV толщины 350 субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл
контакт

самолет c субстрата 10*10.5mm2 GaN одиночного Кристл (0001) с угла к M-оси 0,35 ±0.15°
контакт

Самолет вафли полупроводника 325um нитрида галлия 375um c
контакт

Монокристаллическая полупроводниковая пластина нитрида галлия TTV 10um
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский