 |
Фрестандинг N GaN подложки N шероховатость поверхности 0.5um to1.5um2022-10-08 17:14:45 |
|
|
Субстрат GaN стороны c2022-10-09 17:03:25 |
|
|
Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см2023-03-22 16:32:03 |
|
|
Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины2022-10-08 17:19:48 |
|
|
Толщина 325ум вафли нитрида галлия ГаН - 375ум Фрестандинг2022-10-08 17:00:13 |
|
|
|
|
|
|
|
|
