Отправить сообщение
Главная страница ПродукцияВафля Sic эпитаксиальная

Ранг MOS p SBD p уровня p вафли SiC Epi 2 дюймов ранг ранг 150.0mm d

Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

Ранг MOS p SBD p уровня p вафли SiC Epi 2 дюймов ранг ранг 150.0mm d

Ранг MOS p SBD p уровня p вафли SiC Epi 2 дюймов ранг ранг 150.0mm d
Ранг MOS p SBD p уровня p вафли SiC Epi 2 дюймов ранг ранг 150.0mm d

Большие изображения :  Ранг MOS p SBD p уровня p вафли SiC Epi 2 дюймов ранг ранг 150.0mm d

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Сучжоу Китай
Фирменное наименование: GaNova
Сертификация: UKAS/ISO9001:2015
Номер модели: JDCD03-002-008
Оплата и доставка Условия:
Упаковывая детали: Вакуумная упаковка в чистых помещениях класса 10000, в кассетах по 25 шт. или в одинарных вафельных
Время доставки: 3-4 рабочих дня
Условия оплаты: T/T

Ранг MOS p SBD p уровня p вафли SiC Epi 2 дюймов ранг ранг 150.0mm d

описание
Форма Кристл: 4h Название продукта: Вафля Sic эпитаксиальная
Диаметр: 150.0mm +0mm/-0.2mm Поверхностная ориентация: Внеосевой: ° 4°toward <11-20>±0.5
Основная плоская длина: ± 1.5mm 47.5mm Вторичная плоская длина: Отсутствие вторичной квартиры
Ортогональное Misorientation: ±5.0° Толщина a: 350.0μm± 25.0μm
Выделить:

Вафля SiC Epi ранга P-MOS

,

субстрат 150.0mm SiC

,

Уровень p вафли SiC Epi

Субстрата P на уровне P-SBD SiC ранга P-MOS ранг d 2-дюймового ранг 150,0 mm +0mm/-0.2mm

Субстрат P на уровне 4H-N/SI260μm±25μm JDCD03-001-001 2-дюймовый SiC<0001> для приборов силы и приборов микроволны

Обзор

На системном уровне, этом результаты в сильно компактных решениях с чрезвычайно улучшенным выходом по энергии по уменьшенной цене. Быстро растущий список настоящих и запроектированных коммерческих применений используя технологии SiC включает переключая электропитания, инверторы для поколения солнечных и ветрянки энергии, промышленные приводы мотора, корабли HEV и EV, и переключение силы умн-решетки.

Свойство

Ранг P-MOS Ранг P-SBD Ранг d
Форма Кристл 4H
Polytype Никакие позволили Area≤5%
(MPD) a ≤0.2 /cm2 ≤0.5 /cm2 ≤5 /cm2
Плиты наговора Никакие позволили Area≤5%
Шестиугольное Polycrystal Никакие позволили
Включения a Area≤0.05% Area≤0.05% N/A
Резистивность 0.015Ω•cm-0.025Ω•см 0.015Ω•cm-0.025Ω•см 0.014Ω•cm-0.028Ω•см
(EPD) a ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 N/A
(ТЕД) a ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 N/A
(BPD) a ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 N/A
(TSD) a ≤600/cm2 ≤1000/cm2 N/A
Штабелируя недостаток Зона ≤0.5% Зона ≤1% N/A

Поверхностное загрязнение металла

(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, k, ti, Ca, v, Mn) ≤1E11 см-2

Диаметр 150,0 mm +0mm/-0.2mm
Поверхностная ориентация Внеосевой: ° <11-20>4°toward ±0.5
Основная плоская длина 47,5 mm ± 1,5 mm
Вторичная плоская длина Отсутствие вторичной квартиры
Основная плоская ориентация Параллельное to±1°<11-20>
Вторичная плоская ориентация N/A
Ортогональное Misorientation ±5.0°
Поверхностный финиш C-сторона: Оптически польское, Si-сторона: CMP
Край вафли Скашивать

Шероховатость поверхности

(10μm×10μm)

Сторона Ra≤0.20 nm Si; Сторона Ra≤0.50 nm c
Толщина a μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10mm) a ≤2μm ≤3μm
(TTV) a ≤6μm ≤10μm
(СМЫЧОК) a ≤15μm ≤25μm ≤40μm
(Искривление) a ≤25μm ≤40μm ≤60μm
Обломоки/выделяют Никакие позволили ширину и глубину ≥0.5mm Ширина и глубина Qty.2 ≤1.0 mm

Царапины a

(Сторона Si, CS8520)

≤5 и кумулятивный диаметр Length≤0.5×Wafer

≤5 и кумулятивное Length≤1.5×Wafer

Диаметр

TUA (2mm*2mm) ≥98% ≥95% N/A
Отказы Никакие позволили
Загрязнение Никакие позволили
Свойство Ранг P-MOS Ранг P-SBD Ранг d
Исключение края 3mm

Примечание: исключение края 3mm использовано для деталей отмеченных с A.

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

Контактная информация
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты