 |
Тип н длина 47.5мм субстрата кремниевого карбида 6инч 4Х основная плоская2022-10-24 10:22:34 |
|
|
|
|
6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм2022-10-24 10:23:04 |
|
|
тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,02022-10-24 10:21:10 |
|
|
Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины2022-10-08 17:19:48 |
|
|
350um 4H SiC подложка2022-10-09 16:57:57 |
|
|
Тип субстрат SiC n2022-10-09 16:57:15 |
|
|
SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм2022-10-08 16:41:01 |
|
|
