Отправить запрос |
Главная страница Продукцияsilicon carbide epitaxial wafers онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

silicon carbide epitaxial wafers онлайн производство

(23)
Купить Политип Нет Разрешено SiC Эпитаксиальная пластина P-MOS P-SBD D Grade онлайн производитель

Политип Нет Разрешено SiC Эпитаксиальная пластина P-MOS P-SBD D Grade
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить уровень п субстрата кремниевого карбида 260μм для силовых приборов и приборов микроволны онлайн производитель

уровень п субстрата кремниевого карбида 260μм для силовых приборов и приборов микроволны
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить 6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм онлайн производитель

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:23:04
Купить 350um 4H SiC подложка онлайн производитель

350um 4H SiC подложка
контакт

Подробнее
2022-10-09 16:57:57
Купить Толщина буфера AlGaN 600 нм 2-дюймовый синий светодиод GaN на кремниевой пластине онлайн производитель

Толщина буфера AlGaN 600 нм 2-дюймовый синий светодиод GaN на кремниевой пластине
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:42:47
Купить Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы онлайн производитель

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:25:55
Купить тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0 онлайн производитель

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:21:10
Купить Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины онлайн производитель

Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины
контакт

Подробнее
2022-10-08 17:19:48
Купить Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm онлайн производитель

Тип 6inch 4H SiC SI уровня p Semi изолируя субстрат 150mm
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:21:46
Купить Тип субстрат SiC n онлайн производитель

Тип субстрат SiC n
контакт

Подробнее
2022-10-09 16:57:15
Page 2 of 3|< 1 2 3 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.