Главная страница Продукцияpolished sapphire wafers онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(62)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

polished sapphire wafers онлайн производство

(48)

JDWY01-001-004 плотная пленка 2 дюймов (2,3) um AIN на вафле сапфира, DSP, XRD FWHM (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
контакт

Подробнее

2022-10-09 10:00:31

JDWY01-001-006 плотная пленка 2 дюймов (3,4) Um AIN на вафле сапфира, DSP, XRD FWHM (002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec
контакт

Подробнее

2022-10-09 09:58:41

Плоский сапфир 4-дюймовая эпитаксиальная пластина GaN с синим светодиодом на сапфире SSP
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:23:32

Тип зеркало края r вафли субстрата сапфира EPI готовый отполировал
контакт

Подробнее

2022-09-27 16:31:18

4-дюймовый голубой светодиод GaN, эпитаксиальная пластина C, плоский сапфир
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:23:04

Плоская вафля Thk 440um субстрата сапфира длины (mm) обломок 16 СИД
контакт

Подробнее

2022-09-27 16:24:09

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная
контакт

Подробнее

2024-07-31 15:01:27

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов
контакт

Подробнее

2024-07-31 15:01:27

JDCD08-001-003 2-дюймовая пластина сапфировой подложки M-Plane
контакт

Подробнее

2023-02-17 10:54:43

JDCD08-001-005 4-дюймовая пластина сапфировой подложки R-Plane
контакт

Подробнее

2022-09-28 15:12:19

Page 4 of 5|< << 1 2 3 4 5 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

polished sapphire wafers онлайн производство

JDWY01-001-004 плотная пленка 2 дюймов (2,3) um AIN на вафле сапфира, DSP, XRD FWHM (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
контакт

JDWY01-001-006 плотная пленка 2 дюймов (3,4) Um AIN на вафле сапфира, DSP, XRD FWHM (002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec
контакт

Плоский сапфир 4-дюймовая эпитаксиальная пластина GaN с синим светодиодом на сапфире SSP
контакт

Тип зеркало края r вафли субстрата сапфира EPI готовый отполировал
контакт

4-дюймовый голубой светодиод GaN, эпитаксиальная пластина C, плоский сапфир
контакт

Плоская вафля Thk 440um субстрата сапфира длины (mm) обломок 16 СИД
контакт

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная
контакт

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов
контакт

JDCD08-001-003 2-дюймовая пластина сапфировой подложки M-Plane
контакт

JDCD08-001-005 4-дюймовая пластина сапфировой подложки R-Plane
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский