Пожалуйста, оставьте свой правильный адрес электронной почты и подробные требования.

Хорошо

Главная страница Продукцияpolished sapphire wafers онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(61)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

polished sapphire wafers онлайн производство

(46)

100mm 4 медленно двигают голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная на толщине 5um сапфира SSP - 6um
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:07:51

вафля нитрида алюминия 2инч одиночная или двойная отполированная сторона
контакт

Подробнее

2022-09-27 15:44:55

Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um
контакт

Подробнее

2023-02-17 10:18:05

4 дюйма N типа Si-данное допинг GaN на СИД см вафли SSP Resistivity<0.05 Ω сапфира, лазере, вафле PIN эпитаксиальной
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:33:16

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN
контакт

Подробнее

2022-10-08 16:57:10

4-дюймовый легированный магнием GaN P-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление ~ 10 Ом См Светодиодный лазер PIN Эпитаксиальная пластина
контакт

Подробнее

2024-07-31 15:01:27

Вафля Thk 420um субстрата сапфира ориентировки кристаллов C/M0.2 50mm
контакт

Подробнее

2023-02-17 11:22:13

AIN на шершавости Ra<1.5nm вафли нитрида алюминия
контакт

Подробнее

2022-09-27 15:41:22

$Купить JDWY01-001-007 2-дюймовая толстая пленка (4,5) мкм AIN на сапфировой пластине, SSP, XRD FWHM (002) ≤ 160 угловых секунд \ (102) ≤ 400 угловых секунд онлайн производитель$

JDWY01-001-007 2-дюймовая толстая пленка (4,5) мкм AIN на сапфировой пластине, SSP, XRD FWHM (002) ≤ 160 угловых секунд \ (102) ≤ 400 угловых секунд
контакт

Подробнее

2022-10-09 09:55:26

JDWY01-001-002 2-дюймовая толстая пленка (1,2) мкм AIN на сапфировой пластине, DSP, XRD FWHM (002) ≤ 80 угловых секунд (102) ≤ 650 угловых секунд
контакт

Подробнее

2022-10-09 10:01:23

Page 3 of 5|< << 1 2 3 4 5 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

polished sapphire wafers онлайн производство

100mm 4 медленно двигают голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная на толщине 5um сапфира SSP - 6um
контакт

вафля нитрида алюминия 2инч одиночная или двойная отполированная сторона
контакт

Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um
контакт

4 дюйма N типа Si-данное допинг GaN на СИД см вафли SSP Resistivity<0.05 Ω сапфира, лазере, вафле PIN эпитаксиальной
контакт

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN
контакт

4-дюймовый легированный магнием GaN P-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление ~ 10 Ом См Светодиодный лазер PIN Эпитаксиальная пластина
контакт

Вафля Thk 420um субстрата сапфира ориентировки кристаллов C/M0.2 50mm
контакт

AIN на шершавости Ra<1.5nm вафли нитрида алюминия
контакт

JDWY01-001-007 2-дюймовая толстая пленка (4,5) мкм AIN на сапфировой пластине, SSP, XRD FWHM (002) ≤ 160 угловых секунд \ (102) ≤ 400 угловых секунд
контакт

JDWY01-001-002 2-дюймовая толстая пленка (1,2) мкм AIN на сапфировой пластине, DSP, XRD FWHM (002) ≤ 80 угловых секунд (102) ≤ 650 угловых секунд
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский