Отправить запрос |
Главная страница Продукцияpolished sapphire wafers онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

polished sapphire wafers онлайн производство

(49)
Купить Тип зеркало края r вафли субстрата сапфира EPI готовый отполировал онлайн производитель

Тип зеркало края r вафли субстрата сапфира EPI готовый отполировал
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:31:18
Купить Плоская вафля Thk 440um субстрата сапфира длины (mm) обломок 16 СИД онлайн производитель

Плоская вафля Thk 440um субстрата сапфира длины (mm) обломок 16 СИД
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:24:09
Купить Вафля субстрата сапфира C-самолета JDCD08-001-006 6inch онлайн производитель

Вафля субстрата сапфира C-самолета JDCD08-001-006 6inch
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:50
Купить JDCD08-001-002 2-дюймовый плоский сапфировый субстрат онлайн производитель

JDCD08-001-002 2-дюймовый плоский сапфировый субстрат
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить 2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода онлайн производитель

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:48:43
Купить Вафля субстрата сапфира R-самолета JDCD08-001-004 2inch онлайн производитель

Вафля субстрата сапфира R-самолета JDCD08-001-004 2inch
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:42:27
Купить ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс онлайн производитель

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:49:47
Купить ООН дала допинг типу стороне n субстрата 5x10mm2 m GaN одиночного Кристл онлайн производитель

ООН дала допинг типу стороне n субстрата 5x10mm2 m GaN одиночного Кристл
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:57
Купить 2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства онлайн производитель

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:44
Page 5 of 5|< 1 2 3 4 5 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.