Купить polished sapphire wafers, хорошее качество polished sapphire wafers производитель

Отполированная зеркалом лицевая поверхность вафли EPI сапфира готовая
контакт

50mm Sapphire Substrate Wafer Mirror Polished EPI-Ready Front Surface Quality JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip,substrate ... Подробнее

2023-02-17 10:45:27

вафля 400um сапфира AlN нитрида алюминия 1inch одиночная кристаллическая
контакт

JDCD02-001-003 1inch AlN single crystal 400±50μm S/P/R grade What is Aluminum Nitride? Aluminum Nitride (AlN) is an excellent material to use if high thermal conductivity and electrical insulation properties ... Подробнее

2022-09-27 15:37:46

C Plane AIN на отполированной стороне вафли сапфира одиночной или двойной
контакт

C-plane (0001)±1o AIN On Sapphire Wafer Sapphire(Single or Double Side Polished) 2 Inch Thick Film (1,2)Um AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV Disinfection LED Chip AlN ... Подробнее

2022-09-27 15:39:11

2 дюйма Semi изолируя AIN самолет c вафли одиночного Кристл сапфира
контакт

2 Inch Semi-Insulating AIN On Sapphire Wafer C-Plane (0001)±1o 2 Inch Thick Film (2,3)μm AIN On Sapphire Wafer,SSP,XRD FWHM Of(002)≤100arcsec(102) ≤550arcsec UV Disinfection LED Chip Overview A major use of AlN... Подробнее

2022-09-27 15:43:34

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN
контакт

4 inch N-type UID-doped GaN on sapphire wafer SSP resistivity＞0.5 Ω cm LED, laser, PIN epitaxial wafer For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of ... Подробнее

2025-04-04 22:43:54

Сторона Semi изолируя AIN сапфира вафли сапфира одиночная или двойная отполировала
контакт

2 Inch Thick Film (1,2)μm AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV Disinfection LED Chip The material is a good electrical insulator with excellent thermal conductivity. Its high ... Подробнее

2024-10-29 11:49:58

Зеркало вафли сапфира ориентации поверхности плоскости отполировало ЭПИ готовое
контакт

A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Подробнее

2023-02-17 10:18:27

Вафля АИН нитрида алюминия толстой пленки 2 дюймов на стороне Аль вафли сапфира
контакт

2 Inch Thick Film (1,2)μm AIN On Sapphire Wafer φ50.8 mm±0.1 mm,OF(1-100),Al Face,Locating Edge 16.0± 1.0mm 2 Inch Thick Film (1,2)μm AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV ... Подробнее

2022-09-27 15:40:34

Толстая пленка 2ум 3ум АИН на вафле сапфира изолировать 2 дюймов Семи
контакт

Thick Film (2,3)μm AIN On Sapphire Wafer 2 Inch Semi-Insulating 2 Inch Thick Film (2,3)μm AIN On Sapphire Wafer,SSP,XRD FWHM Of(002)≤100arcsec(102) ≤550arcsec UV Disinfection LED Chip Overview If you've ever ... Подробнее

2022-09-27 15:35:22

$Купить JDWY01-001-007 2-дюймовая толстая пленка (4,5) мкм AIN на сапфировой пластине, SSP, XRD FWHM (002) ≤ 160 угловых секунд \ (102) ≤ 400 угловых секунд онлайн производитель$

JDWY01-001-007 2-дюймовая толстая пленка (4,5) мкм AIN на сапфировой пластине, SSP, XRD FWHM (002) ≤ 160 угловых секунд \ (102) ≤ 400 угловых секунд
контакт

2 inch thick film (4,5)um AIN on sapphire wafer,SSP,XRD FWHM of(002)≤160arcsec(102) ≤400arcsec UV disinfection, LED chip Sapphire is a material of a unique combination of physical, chemical and optical ... Подробнее

2025-04-04 22:43:09

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

polished sapphire wafers онлайн производство

Отполированная зеркалом лицевая поверхность вафли EPI сапфира готовая
контакт

вафля 400um сапфира AlN нитрида алюминия 1inch одиночная кристаллическая
контакт

C Plane AIN на отполированной стороне вафли сапфира одиночной или двойной
контакт

2 дюйма Semi изолируя AIN самолет c вафли одиночного Кристл сапфира
контакт

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN
контакт

Сторона Semi изолируя AIN сапфира вафли сапфира одиночная или двойная отполировала
контакт

Зеркало вафли сапфира ориентации поверхности плоскости отполировало ЭПИ готовое
контакт

Вафля АИН нитрида алюминия толстой пленки 2 дюймов на стороне Аль вафли сапфира
контакт

Толстая пленка 2ум 3ум АИН на вафле сапфира изолировать 2 дюймов Семи
контакт

JDWY01-001-007 2-дюймовая толстая пленка (4,5) мкм AIN на сапфировой пластине, SSP, XRD FWHM (002) ≤ 160 угловых секунд \ (102) ≤ 400 угловых секунд
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский