Главная страница Продукция Вафля нитрида алюминия

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс

Name: ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD02-001-004
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс

Большие изображения : ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс

Подробная информация о продукте:

Фирменное наименование:	GaNova
Номер модели:	JDCD02-001-004

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа:	1
Упаковывая детали:	Вакуумная упаковка в чистых помещениях класса 10000, в кассетах по 25 шт. или в одинарных вафельных
Условия оплаты:	T/T

контакт

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс

описание

Диаметр:	10ммx10мм	Толщина (μm):	400±50
кристаллическая форма:	2H	Polytype:	{0001}±0,5°
Грубость:	Сторона Al: сторона ≤0.5nm n (задняя): ≤1.2μm	Поверхностный полировать:	Алюминиевая поверхность: химический полировать (двойник
Выделить:	Альминиевая нитридная пластина ALN , Вафли из нитрида алюминия 2H , 10*10мм2 альн вафли

Подложка AlN является одной из самых популярных керамических подложек, которая обладает отличной термостойкостью, высокой механической прочностью, стойкостью к истиранию и малыми диэлектрическими потерями.Поверхность подложки AlN достаточно гладкая и малопористая.Нитрид алюминия имеет более высокую теплопроводность по сравнению с подложкой из оксида алюминия, она примерно в 7-8 раз выше.Подложка AlN является превосходным материалом для электронных корпусов.

Тонкая пленка нитрида алюминия представляет собой слой алюминия, устойчивый к высоким температурам.При высоких температурах этот слой алюминия поможет защитить материал.В условиях высокого давления он может быть нестабильным.Он выдерживает диапазон температур до 980 градусов по Цельсию.На более низких уровнях он может быть токсичным для человека.Он также используется в мобильных телефонах.Его свойства чрезвычайно разнообразны.

*1010 мм² Монокристаллическая подложка из нитрида алюминия**
Характеристики кристалла	Значение параметра
Диаметр (мм)	10x10
Толщина (мкм)	400±50
Кристаллическая Форма	2 часа
Политип	{0001}±0,5°
Полировка поверхности	Алюминиевая поверхность: химическая полировка (можно заказать двойную полировку)
Шероховатость	Аль лицо:≤0,5нм Н лицом (сзади): ≤1,2 мкм
появление	квадратная форма
Класс качества	S класс(Супер)	P класс(Производство)	Ранг R(Исследование)
HRXRD Ширина наполовину высоты@{0002}(арксек)	≤150	≤300	≤500
HRXRD Ширина на половине высоты@{10-12}(угл. с)	≤100	≤200	≤400
коэффициент поглощения при 265 нм (см^-1)	≤50	≤70	≤100
Исключение края (мм)	1	1	1
Отступы	无	无	无
Чипсы	无	无	≤3 Кумулятивный ≤1,0 мм
ТУА	≥90%
ТТВ (мкм)	≤30
Деформация (мкм)	≤30
Лук (мкм)	≤30
Трещины	Нет, невооруженным глазом, сильный свет
Загрязнение	Нет, невооруженным глазом, радиация
упаковка	Монолитная вафельница

О нас

Мы специализируемся на переработке различных материалов в пластины, подложки и индивидуальные детали из оптического стекла. Компоненты широко используются в электронике, оптике, оптоэлектронике и многих других областях.Мы также тесно сотрудничаем со многими отечественными и зарубежными университетами, научно-исследовательскими институтами и компаниями, предоставляя индивидуальные продукты и услуги для их научно-исследовательских проектов.Наше видение - поддерживать хорошие отношения сотрудничества со всеми нашими клиентами благодаря нашей хорошей репутации.

Часто задаваемые вопросы

В: вы торговая компания или производитель?
Мы фабрика.
Q: Как долго ваше время доставки?
Обычно это 3-5 дней, если товар есть на складе.
или 7-10 дней, если товара нет на складе, в зависимости от количества.
Q: Предоставляете ли вы образцы?это бесплатно или дополнительно?
Да, мы можем предложить образец бесплатно, но не оплачиваем стоимость перевозки.
В: Каковы ваши условия оплаты?
Оплата <=5000USD, 100% предоплата.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T заранее, остаток перед отправкой.

Ярлык:

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Другие продукты

1" химическая полировка вафли 400ум с/п/р нитрида алюминия АлН

Название продукта: Монокристалл AlN

Шершавость: Al лицевая сторона: ≤0,5 нм N лицевая сторона (задняя): ≤1,2 мкм

Возникновение: Позиционирующая кромка кругового ремня

ТУА: ≥90%

форма 25.4mm 1inch AlN одиночное Кристл 400um 2H Кристл

Возникновение: Позиционирующая кромка кругового ремня

Название продукта: Вафля нитрида алюминия

Диаметр (мм): 25.4±0.5

Толщина (мкм): 400±50

вафля 450um нитрида алюминия 1inch AlN одиночного Кристл

ТУА: ≥90%

Polytype: {0001}±0,5°

Название продукта: Вафля нитрида алюминия

Диаметр: 25,4±0,5 мм

C Plane AIN на отполированной стороне вафли сапфира одиночной или двойной

Размеры: φ50.8mm±0.1mm, (1-100), сторона Al, обнаруживая местонахождение край 16.0± 1.0mm

Субстрат: Сапфир (одиночная или двойная сторона отполировала)

Тип кондукции: Полу-изолировать

Граничная зона исключения: <2 мм

Семи изолируя вафля АИН нитрида алюминия на поверхности вафли сапфира

Размеры: φ50.8mm±0.1mm, (1-100), сторона Al, обнаруживая местонахождение край 16.0± 1.0mm

Субстрат: Сапфир (одиночная или двойная сторона отполировала)

Тип кондукции: Полу-изолировать

Граничная зона исключения: <2 мм

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс

Альминиевая нитридная пластина ALN

Вафли из нитрида алюминия 2H

10*10мм2 альн вафли

Сапфир Нитрид алюминия Wa,

Пластина из нитрида алюминия ISO,

полированные сапфировые пластины

Нитрид алюминия сапфира с a,

ISO вафли нитрида алюминия,

отполированные вафли сапфира

1" химическая полировка вафли 400ум с/п/р нитрида алюминия АлН

форма 25.4mm 1inch AlN одиночное Кристл 400um 2H Кристл

вафля 450um нитрида алюминия 1inch AlN одиночного Кристл

C Plane AIN на отполированной стороне вафли сапфира одиночной или двойной

Семи изолируя вафля АИН нитрида алюминия на поверхности вафли сапфира

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский