Пожалуйста, оставьте правильный адрес электронной почты и подробные требования (20-3000 символов).

Хорошо

Главная страница Продукцияaluminum nitride wafer iso онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

aluminum nitride wafer iso онлайн производство

(3)

Семи изолируя вафля АИН нитрида алюминия на поверхности вафли сапфира
контакт

Подробнее

2022-09-27 15:39:57

1 дюймовая однокристаллическая пластина AlN 400±50μM S/P/R класс
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:50:21

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:49:47

Page 1 of 1

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

aluminum nitride wafer iso онлайн производство

Семи изолируя вафля АИН нитрида алюминия на поверхности вафли сапфира
контакт

1 дюймовая однокристаллическая пластина AlN 400±50μM S/P/R класс
контакт

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский