aluminum nitride wafer iso онлайн производство

(3)

Семи изолируя вафля АИН нитрида алюминия на поверхности вафли сапфира
контакт

2 Inch Thick Film (1,2)μm AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV Disinfection LED Chip A thin film of aluminum nitride is a layer of aluminum that is resistant to high temperatur... Подробнее

2022-09-27 15:39:57

1 дюймовая однокристаллическая пластина AlN 400±50μM S/P/R класс
контакт

AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite ... Подробнее

2024-12-06 17:50:21

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс
контакт

2024-12-06 17:49:47

Page 1 of 1

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

aluminum nitride wafer iso онлайн производство

Семи изолируя вафля АИН нитрида алюминия на поверхности вафли сапфира
контакт

1 дюймовая однокристаллическая пластина AlN 400±50μM S/P/R класс
контакт

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский