Отправить запрос |
Главная страница Продукцияsapphire aluminum nitride wa онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

sapphire aluminum nitride wa онлайн производство

(3)
Купить 1um к стороне субстрата нитрида алюминия 5um одиночной или двойной отполировало онлайн производитель

1um к стороне субстрата нитрида алюминия 5um одиночной или двойной отполировало
контакт

Подробнее
2022-09-27 15:36:51
Купить ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс онлайн производитель

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:49:47
Купить 1 дюймовая однокристаллическая пластина AlN 400±50μM S/P/R класс онлайн производитель

1 дюймовая однокристаллическая пластина AlN 400±50μM S/P/R класс
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:50:21
Page 1 of 1
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.