Главная страница Продукцияsapphire aluminum nitride wa онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

sapphire aluminum nitride wa онлайн производство

(16)

Вафля АИН нитрида алюминия толстой пленки 2 дюймов на стороне Аль вафли сапфира
контакт

2 Inch Thick Film (1,2)μm AIN On Sapphire Wafer φ50.8 mm±0.1 mm,OF(1-100),Al Face,Locating Edge 16.0± 1.0mm 2 Inch Thick Film (1,2)μm AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV ... Подробнее

2022-09-27 15:40:34

1um к стороне субстрата нитрида алюминия 5um одиночной или двойной отполировало
контакт

1~5μm AIN On Sapphire Wafer Sapphire Single or Double Side Polished 2 Inch Thick Film (1,2)Um AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV Disinfection LED Chip Aluminum nitride was ... Подробнее

2022-09-27 15:36:51

Семи изолируя вафля АИН нитрида алюминия на поверхности вафли сапфира
контакт

2 Inch Thick Film (1,2)μm AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV Disinfection LED Chip A thin film of aluminum nitride is a layer of aluminum that is resistant to high temperatur... Подробнее

2022-09-27 15:39:57

AIN на шершавости Ra<1.5nm вафли нитрида алюминия
контакт

C-Plane (0001)±1o AIN On Sapphire Wafer Surface Roughness Ra Подробнее

2022-09-27 15:41:22

вафля нитрида алюминия 2инч одиночная или двойная отполированная сторона
контакт

2in AIN On Sapphire Wafer Sapphire Single Or Double Side Polished AlN-T-C-U-C50 2 Inch Thick Film (2,3)Um AIN On Sapphire Wafer,SSP,XRD FWHM Of(002)≤100arcsec(102) ≤550arcsec UV Disinfection LED Chip Overview ... Подробнее

2022-09-27 15:44:55

Толстая пленка 2ум 3ум АИН на вафле сапфира изолировать 2 дюймов Семи
контакт

Thick Film (2,3)μm AIN On Sapphire Wafer 2 Inch Semi-Insulating 2 Inch Thick Film (2,3)μm AIN On Sapphire Wafer,SSP,XRD FWHM Of(002)≤100arcsec(102) ≤550arcsec UV Disinfection LED Chip Overview If you've ever ... Подробнее

2022-09-27 15:35:22

вафля 400um сапфира AlN нитрида алюминия 1inch одиночная кристаллическая
контакт

JDCD02-001-003 1inch AlN single crystal 400±50μm S/P/R grade What is Aluminum Nitride? Aluminum Nitride (AlN) is an excellent material to use if high thermal conductivity and electrical insulation properties ... Подробнее

2022-09-27 15:37:46

Сторона Semi изолируя AIN сапфира вафли сапфира одиночная или двойная отполировала
контакт

2 Inch Thick Film (1,2)μm AIN On Sapphire Wafer SSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV Disinfection LED Chip The material is a good electrical insulator with excellent thermal conductivity. Its high ... Подробнее

2024-10-29 11:49:58

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс
контакт

AlN substrate is one of the most popular ceramic substrate which has excellent heat resistance, high mechnical strength , abrasion resistance and small dielectric loss . The surface of AlN substrate is quite ... Подробнее

2024-12-06 17:49:47

JDWY01-001-002 2 дюйма толщины пленки (1,2)Um AIN на сапфировой пластинке DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec
контакт

2 inch thick film (1,2)um AIN on sapphire wafer,DSP,XRD FWHM of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec UV disinfection, LED chip A thin film of aluminum nitride is a form of semiconductor material. It is highly ... Подробнее

2025-04-27 11:43:50

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

sapphire aluminum nitride wa онлайн производство

Вафля АИН нитрида алюминия толстой пленки 2 дюймов на стороне Аль вафли сапфира
контакт

1um к стороне субстрата нитрида алюминия 5um одиночной или двойной отполировало
контакт

Семи изолируя вафля АИН нитрида алюминия на поверхности вафли сапфира
контакт

AIN на шершавости Ra<1.5nm вафли нитрида алюминия
контакт

вафля нитрида алюминия 2инч одиночная или двойная отполированная сторона
контакт

Толстая пленка 2ум 3ум АИН на вафле сапфира изолировать 2 дюймов Семи
контакт

вафля 400um сапфира AlN нитрида алюминия 1inch одиночная кристаллическая
контакт

Сторона Semi изолируя AIN сапфира вафли сапфира одиночная или двойная отполировала
контакт

ALN 10*10mm2 AlN однокристаллический 400±50μM С/П/Р класс
контакт

JDWY01-001-002 2 дюйма толщины пленки (1,2)Um AIN на сапфировой пластинке DSP XRD FWHM Of(002)≤80arcsec(102) ≤650arcsec
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский