Главная страница Продукцияsapphire aluminum nitride wa онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

sapphire aluminum nitride wa онлайн производство

(16)

JDWY01-001-004 плотная пленка 2 дюймов (2,3) um AIN на вафле сапфира, DSP, XRD FWHM (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
контакт

Подробнее

2025-04-04 22:43:14

1 дюймовая однокристаллическая пластина AlN 400±50μM S/P/R класс
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:50:21

C Plane AIN на отполированной стороне вафли сапфира одиночной или двойной
контакт

Подробнее

2022-09-27 15:39:11

JDWY01-001-006 плотная пленка 2 дюймов (3,4) Um AIN на вафле сапфира, DSP, XRD FWHM (002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec
контакт

Подробнее

2025-04-04 22:43:14

2 дюйма Semi изолируя AIN самолет c вафли одиночного Кристл сапфира
контакт

Подробнее

2022-09-27 15:43:34

$Купить JDWY01-001-007 2-дюймовая толстая пленка (4,5) мкм AIN на сапфировой пластине, SSP, XRD FWHM (002) ≤ 160 угловых секунд \ (102) ≤ 400 угловых секунд онлайн производитель$

JDWY01-001-007 2-дюймовая толстая пленка (4,5) мкм AIN на сапфировой пластине, SSP, XRD FWHM (002) ≤ 160 угловых секунд \ (102) ≤ 400 угловых секунд
контакт

Подробнее

2025-04-04 22:43:09

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

sapphire aluminum nitride wa онлайн производство

JDWY01-001-004 плотная пленка 2 дюймов (2,3) um AIN на вафле сапфира, DSP, XRD FWHM (002) ≤100arcsec (102) ≤550arcsec
контакт

1 дюймовая однокристаллическая пластина AlN 400±50μM S/P/R класс
контакт

C Plane AIN на отполированной стороне вафли сапфира одиночной или двойной
контакт

JDWY01-001-006 плотная пленка 2 дюймов (3,4) Um AIN на вафле сапфира, DSP, XRD FWHM (002) ≤120arcsec (102) ≤450arcsec
контакт

2 дюйма Semi изолируя AIN самолет c вафли одиночного Кристл сапфира
контакт

JDWY01-001-007 2-дюймовая толстая пленка (4,5) мкм AIN на сапфировой пластине, SSP, XRD FWHM (002) ≤ 160 угловых секунд \ (102) ≤ 400 угловых секунд
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский