Отправить запрос |
Главная страница Продукцияn type silicon epi wafer онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

n type silicon epi wafer онлайн производство

(16)
Купить ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов онлайн производитель

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:47:04
Купить эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI онлайн производитель

эпитаксиальная пластина GaN 5x10 мм2, нелегированная, тип SI
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:57
Купить 2 дюймовое устройство высокой электронной мобильности транзистор эпитаксиальная пластина онлайн производитель

2 дюймовое устройство высокой электронной мобильности транзистор эпитаксиальная пластина
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:41:10
Купить Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина онлайн производитель

Синий светодиод GaN на кремниевой пластине Синий лазер GaN эпитаксиальная пластина
контакт

Подробнее
2024-12-06 17:37:25
Купить Оптическая связь Светодиоды на подложке из арсенида галлия онлайн производитель

Оптическая связь Светодиоды на подложке из арсенида галлия
контакт

Подробнее
2022-10-09 09:53:08
Купить 2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства онлайн производитель

2-дюймовая C-образная поверхность, легированная Fe, отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN типа SI Удельное сопротивление > 10⁶ Ом·см РЧ-устройства
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:43:44
Page 2 of 2|< 1 2 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.