Главная страница Продукцияn type sic crystal онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(61)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

n type sic crystal онлайн производство

(26)

4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:38:02

4" удельное сопротивление 0.015ohm.cm кристалла кремниевого карбида ранга p к 0.028ohm.cm
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:35:24

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг 18.0mm p
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:01:26

2-дюймовая подложка SiC 350 мкм для требовательной силовой электроники
контакт

Подробнее

2023-02-17 15:34:54

Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4" ранг 100.0mm p
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:01:05

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг Politype 4H p
контакт

Подробнее

2022-10-09 10:12:00

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

Подробнее

2023-02-17 15:19:25

150-мм пластина 4H SiC Semi изолирующая подложка 6 дюймов 350 мкм
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:22:12

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

Подробнее

2023-02-17 15:51:34

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI
контакт

Подробнее

2023-03-22 16:09:10

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

n type sic crystal онлайн производство

4-дюймовая подложка 4H-SiC P-Level N-Type 350,0±25,0 мкм MPD≤0,5/см2 Удельное сопротивление 0,015 Ом•см — 0,025 Ом•см
контакт

4" удельное сопротивление 0.015ohm.cm кристалла кремниевого карбида ранга p к 0.028ohm.cm
контакт

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг 18.0mm p
контакт

2-дюймовая подложка SiC 350 мкм для требовательной силовой электроники
контакт

Основной плоский кремниевый карбид Кристл длины 32.5mm 4" ранг 100.0mm p
контакт

кремниевый карбид Кристл 100.0mm 4" ранг Politype 4H p
контакт

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

150-мм пластина 4H SiC Semi изолирующая подложка 6 дюймов 350 мкм
контакт

0.015Ω•cm-0.025Ω•C-стороны вафли SiC см CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский