Главная страница Продукцияgallium nitride semiconductor wafer онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

gallium nitride semiconductor wafer онлайн производство

(35)

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать
контакт

Подробнее

2022-10-09 10:30:00

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности <0.1 Ω субстрата GaN одиночного Кристл·см приводит прибор в действие/лазер w
контакт

Подробнее

2022-10-25 15:15:40

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка
контакт

Подробнее

2024-10-29 11:49:58

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см приводит прибор в действие
контакт

Подробнее

2023-02-17 11:08:54

Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:48:00

Page 4 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

gallium nitride semiconductor wafer онлайн производство

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать
контакт

-сторона 5*10mm2 ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности <0.1 Ω субстрата GaN одиночного Кристл·см приводит прибор в действие/лазер w
контакт

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка
контакт

SP-сторона 5*10mm2 (11-12) ООН-дала допинг N типа свободно стоящей резистивности субстрата GaN одиночного Кристл < 0,1 Ω·см приводит прибор в действие
контакт

Ускоренная термическая обработка RTP-SA-8 система отжига
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский