Отправить запрос |
Главная страница Продукцияga2o3 single crystal substrate онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

ga2o3 single crystal substrate онлайн производство

(13)
Купить JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка онлайн производитель

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка
контакт

10x10mm2 100(off 6°) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤5nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать онлайн производитель

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать
контакт

10x10mm2 (-201) Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Resistance Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка онлайн производитель

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка
контакт

10x10mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 1.53E+18Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating layers ... Подробнее
2025-04-27 11:43:51
Купить полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный онлайн производитель

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный
контакт

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3 онлайн производитель

Толщина 0.6mm до 0.8mm субстрата одиночного Кристл вафли FWHM<350arcsec Ga2O3
контакт

FWHM Подробнее
2023-02-17 14:17:37
Купить Ра 0,3 нм Ga2O3 монокристаллическая эпитаксиальная пластина 2 дюйма 4 дюйма онлайн производитель

Ра 0,3 нм Ga2O3 монокристаллическая эпитаксиальная пластина 2 дюйма 4 дюйма
контакт

Ra≤0.3nm Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm Orientation (-201) 10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec... Подробнее
2023-02-17 14:34:04
Купить Положение субстрата 10кс10мм2 вафли Га2О3 легированное Фе одиночное кристаллическое свободное онлайн производитель

Положение субстрата 10кс10мм2 вафли Га2О3 легированное Фе одиночное кристаллическое свободное
контакт

10x10mm2 (-201) Fe-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.3 nm Optoelectronic devices, insulating layers of semiconductor ... Подробнее
2022-10-09 10:34:19
Купить субстрат вафли Ga2O3 10x15mm одиночное Кристл 10x10mm онлайн производитель

субстрат вафли Ga2O3 10x15mm одиночное Кристл 10x10mm
контакт

10x15mm2(-201)UID-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0.5nm Resistance 4.13E+17Ω/cm-3 Optoelectronic devices, insulating ... Подробнее
2022-09-27 16:57:06
Купить Давать допинг субстрата UID окиси галлия одиночного Кристл полупроводника онлайн производитель

Давать допинг субстрата UID окиси галлия одиночного Кристл полупроводника
контакт

Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm FWHM Подробнее
2022-10-09 10:30:43
Купить Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подложки Га2О3 онлайн производитель

Одиночная отполированная стороной толщина 0.6мм 0.8мм монокристаллической подложки Га2О3
контакт

Single side polished Ga2O3 Single Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8mm 10x15mm2(010)Sn-doped free-standing Ga2O3 single crystal substrate Product grade single polishing Thickness 0.6~0.8mm FWHM＜350arcsec,Ra≤0... Подробнее
2023-02-17 14:30:35
Page 1 of 2|< 1 2 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.