Отправить сообщение
Отправить запрос |
Главная страница Продукцияsingle crystal diamond wafer онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(62)

Вафля Sic эпитаксиальная

(28)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

single crystal diamond wafer онлайн производство

(16)
Купить JDCD05-001-005 5*5 мм2*0,5 мм Монокристаллический алмаз электронного качества, содержание азота онлайн производитель

JDCD05-001-005 5*5 мм2*0,5 мм Монокристаллический алмаз электронного качества, содержание азота
контакт

Подробнее
2022-09-28 15:01:25
Купить Диамант одиночного Кристл ранга JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm электронный, n Content<100ppb, проводимость XRD<0.015º термальная онлайн производитель

Диамант одиночного Кристл ранга JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm электронный, n Content<100ppb, проводимость XRD<0.015º термальная
контакт

Подробнее
2022-09-28 15:02:42
Купить диамант 3.515г/км3 КВД пропускает свет 225нм к дальнему инфракрасному онлайн производитель

диамант 3.515г/км3 КВД пропускает свет 225нм к дальнему инфракрасному
контакт

Подробнее
2022-09-27 17:12:16
Купить Wm k 1000 | проводимость 2000 субстратов диаманта CVD термальная 300K онлайн производитель

Wm k 1000 | проводимость 2000 субстратов диаманта CVD термальная 300K
контакт

Подробнее
2022-09-27 17:13:12
Купить Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины онлайн производитель

Шершавость лицевой поверхности GaN на субстрате GaN кремниевой пластины
контакт

Подробнее
2022-10-08 17:19:48
Купить SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм онлайн производитель

SP Face 5 X 10 мм2 Подложка из нитрида галлия 350 мкм
контакт

Подробнее
2022-10-08 16:41:01
Page 2 of 2|< 1 2 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2024 epi-wafers.com. All Rights Reserved.