Главная страница Продукцияsingle crystal diamond wafer онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(61)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

single crystal diamond wafer онлайн производство

(16)

225нм к содержанию н вафли диаманта ранга дальнего инфракрасного электронного одиночного Кристл
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:13:55

диамант 225nm одиночного Кристл ранга 3x3mm2 0.3mm электронный к длинноволновой части инфракрасной области
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:12:26

XRD
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:14:11

Ранг 70 до 120 субстратов диаманта CVD PGa одиночная кристаллическая электронная
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:13:37

Вафля электронной ранга Контент
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:14:46

Ранг Young субстрата модуля 1050PGa одиночного Кристл электронная
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:14:25

Диэлектрическая постоянная 5,5 субстратов диаманта CVD электронной ранга
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:12:44

Диамант одиночного Кристл ранга JDCD05-001-003 1010mm20.3mm электронный, n Content<100ppb, проводимость XRD<0.015º термальная
контакт

Подробнее

2022-09-28 15:00:05

Содержание n 3 субстратов диаманта CVD X 3mm2 < 100ppb для теплоотвода
контакт

Подробнее

2022-10-09 09:54:10

JDCD05-001-004 33 мм20,5 мм Монокристаллический алмаз электронного качества, содержание азота
контакт

Подробнее

2022-10-09 09:54:38

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

single crystal diamond wafer онлайн производство

225нм к содержанию н вафли диаманта ранга дальнего инфракрасного электронного одиночного Кристл
контакт

диамант 225nm одиночного Кристл ранга 3x3mm2 0.3mm электронный к длинноволновой части инфракрасной области
контакт

XRD
контакт

Ранг 70 до 120 субстратов диаманта CVD PGa одиночная кристаллическая электронная
контакт

Вафля электронной ранга Контент
контакт

Ранг Young субстрата модуля 1050PGa одиночного Кристл электронная
контакт

Диэлектрическая постоянная 5,5 субстратов диаманта CVD электронной ранга
контакт

Диамант одиночного Кристл ранга JDCD05-001-003 1010mm20.3mm электронный, n Content<100ppb, проводимость XRD<0.015º термальная
контакт

Содержание n 3 субстратов диаманта CVD X 3mm2 < 100ppb для теплоотвода
контакт

JDCD05-001-004 33 мм20,5 мм Монокристаллический алмаз электронного качества, содержание азота
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский