Главная страница Продукцияsemiconductor gallium arsenide wafer онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(62)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

semiconductor gallium arsenide wafer онлайн производство

(10)

Вафля UKAS GaAs Si вафли смеси 2inch GaAs Epi полупроводника
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:18:19

субстраты VGF S-C-N вафли 2inch GaAs 18mm GaAs Si Undoped
контакт

Подробнее

2022-10-09 09:53:40

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:25:55

150,0 мм + форма кристалла вафли 4Х СиК 0мм/-0.2мм эпитаксиальная кристаллическая
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:20:57

эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 47,5 мм ± 1,5 мм
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:23:40

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:21:10

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов
контакт

Подробнее

2024-07-31 15:01:27

2 ′′ 6 дюймовый GaN N-типа на сапфировой эпитаксиальной пластинке для светодиодного лазерного ПИН-устройства
контакт

Подробнее

2024-07-31 15:01:27

JDCD10-001-002 2-дюймовые GaAs (100) подложки, легированные кремнием
контакт

Подробнее

2022-10-09 09:52:57

Увеличьте производительность с помощью быстрой термической обработки RTP-SA-8
контакт

Подробнее

2024-06-14 14:35:56

Page 1 of 1

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

semiconductor gallium arsenide wafer онлайн производство

Вафля UKAS GaAs Si вафли смеси 2inch GaAs Epi полупроводника
контакт

субстраты VGF S-C-N вафли 2inch GaAs 18mm GaAs Si Undoped
контакт

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы
контакт

150,0 мм + форма кристалла вафли 4Х СиК 0мм/-0.2мм эпитаксиальная кристаллическая
контакт

эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 47,5 мм ± 1,5 мм
контакт

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

ГаН эпитаксиальная пластина, необходимая для производства высоковольтных высокочастотных чипов
контакт

2 ′′ 6 дюймовый GaN N-типа на сапфировой эпитаксиальной пластинке для светодиодного лазерного ПИН-устройства
контакт

JDCD10-001-002 2-дюймовые GaAs (100) подложки, легированные кремнием
контакт

Увеличьте производительность с помощью быстрой термической обработки RTP-SA-8
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский