Отправить сообщение
Отправить запрос |
Главная страница Продукцияp type silicon substrate онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(61)

Вафля Sic эпитаксиальная

(28)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

p type silicon substrate онлайн производство

(45)
Купить Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-003 4-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов онлайн производитель

Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-003 4-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов
контакт

Подробнее
2023-02-17 11:57:25
Купить JDCD06-001-004 5-дюймовые МЭМС-устройства на кремниевых пластинах, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств онлайн производитель

JDCD06-001-004 5-дюймовые МЭМС-устройства на кремниевых пластинах, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств
контакт

Подробнее
2023-02-17 11:59:11
Купить Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-005 6-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов онлайн производитель

Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-005 6-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов
контакт

Подробнее
2023-02-17 12:00:11
Купить Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-007 12-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов онлайн производитель

Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-007 12-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов
контакт

Подробнее
2023-02-17 12:01:45
Купить Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная онлайн производитель

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная
контакт

Подробнее
2024-07-31 15:01:27
Купить вафля 6inch SiC эпитаксиальная онлайн производитель

вафля 6inch SiC эпитаксиальная
контакт

Подробнее
2022-10-09 16:56:20
Купить вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная онлайн производитель

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная
контакт

Подробнее
2023-02-17 15:11:59
Купить вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm онлайн производитель

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

Подробнее
2023-02-17 15:19:25
Купить JDZJ01-001-004 Кристалл SiC в слитках 6 дюймов, класс P онлайн производитель

JDZJ01-001-004 Кристалл SiC в слитках 6 дюймов, класс P
контакт

Подробнее
2022-09-29 15:53:31
Купить Вафля JDCD07-001-002 5-Inch SOI эпитаксиальная для обработки MEMS онлайн производитель

Вафля JDCD07-001-002 5-Inch SOI эпитаксиальная для обработки MEMS
контакт

Подробнее
2023-04-23 15:36:53
Page 4 of 5|< 1 2 3 4 5 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2024 epi-wafers.com. All Rights Reserved.