Отправить запрос |
Главная страница Продукцияp type silicon substrate онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

p type silicon substrate онлайн производство

(46)
Купить JDCD07-001-002 5 дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS онлайн производитель

JDCD07-001-002 5 дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить Вафля JDCD07-001-003 6-Inch SOI эпитаксиальная для обработки MEMS онлайн производитель

Вафля JDCD07-001-003 6-Inch SOI эпитаксиальная для обработки MEMS
контакт

Подробнее
2025-04-04 22:42:31
Купить JDCD07-001-004 7-дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS онлайн производитель

JDCD07-001-004 7-дюймовый SOI эпитаксиальный вафля для обработки MEMS
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС онлайн производитель

JDCD07-001-001 4-дюймовая эпитаксиальная пластина SOI для обработки МЭМС
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить 775um 725um 675um полупроводниковые устройства вафли 8 дюймов онлайн производитель

775um 725um 675um полупроводниковые устройства вафли 8 дюймов
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:50:19
Купить Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm онлайн производитель

Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:57
Page 5 of 5|< 1 2 3 4 5 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.