Главная страница Продукцияn type silicon epi wafer онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

n type silicon epi wafer онлайн производство

(16)

Микроэлектронная кремниевая эпитаксиальная пластина 279um Основная подложка
контакт

Подробнее

2022-09-27 16:51:53

2" толщина 279μm кремниевой пластины полупроводника
контакт

Подробнее

2022-09-27 16:54:31

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:48:43

2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:40:06

Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm
контакт

Подробнее

2024-10-29 11:49:57

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:23:04

Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:33:44

6 дюймов GaN на кремниевом HEMT Epi Wafer Power Device Галлиевый нитрид GaN на Си
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:38:23

2 дюйма GaN на кремниевом Синий LD эпи вафли GaN синий лазер на кремниевом
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:35:32

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

Подробнее

2024-10-29 11:49:58

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

n type silicon epi wafer онлайн производство

Микроэлектронная кремниевая эпитаксиальная пластина 279um Основная подложка
контакт

2" толщина 279μm кремниевой пластины полупроводника
контакт

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода
контакт

2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания
контакт

Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm
контакт

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si
контакт

6 дюймов GaN на кремниевом HEMT Epi Wafer Power Device Галлиевый нитрид GaN на Си
контакт

2 дюйма GaN на кремниевом Синий LD эпи вафли GaN синий лазер на кремниевом
контакт

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский