Отправить запрос |
Главная страница Продукцияn type silicon epi wafer онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

n type silicon epi wafer онлайн производство

(22)
Купить Микроэлектронная кремниевая эпитаксиальная пластина 279um Основная подложка онлайн производитель

Микроэлектронная кремниевая эпитаксиальная пластина 279um Основная подложка
контакт

Thickness(μm)279 Silicon Wafer TTV(μm) Standard Подробнее
2022-09-27 16:51:53
Купить 2" толщина 279μm кремниевой пластины полупроводника онлайн производитель

2" толщина 279μm кремниевой пластины полупроводника
контакт

2-Inch Silicon Wafer Thickness(μm)279 Resistivity 0.001-100 Ohm-cm 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Few of us have a chance to encounter ... Подробнее
2022-09-27 16:54:31
Купить 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания онлайн производитель

2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке для устройства питания
контакт

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Подробнее
2024-12-06 17:40:06
Купить GaN фиолетовый лазер на кремниевом 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке UV LD Epi пластинке онлайн производитель

GaN фиолетовый лазер на кремниевом 2 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi пластинке UV LD Epi пластинке
контакт

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Подробнее
2024-12-06 17:35:32
Купить Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si онлайн производитель

Барьер AlGaN 4 дюйма GaN на кремниевом HEMT Epi вафеле галлиевого нитрида GaN-on-Si
контакт

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Подробнее
2024-12-06 17:33:44
Купить 6 дюймов GaN на кремниевом HEMT Epi Wafer Power Device Галлиевый нитрид GaN на Си онлайн производитель

6 дюймов GaN на кремниевом HEMT Epi Wafer Power Device Галлиевый нитрид GaN на Си
контакт

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Подробнее
2024-12-06 17:38:23
Купить 2 дюйма GaN на кремниевом Синий LD эпи вафли GaN синий лазер на кремниевом онлайн производитель

2 дюйма GaN на кремниевом Синий LD эпи вафли GaN синий лазер на кремниевом
контакт

Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its ... Подробнее
2024-12-06 17:35:32
Купить 2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода онлайн производитель

2-дюймовый N-тип GaN на сапфировом эпитаксиальном пластинке для устройства LED-лазерного PIN-кода
контакт

Description: Epiaxial wafers refer to products formed by growing a new single crystal layer on a single crystal substrate. Epiaxial wafers determine about 70% of the performance of devices and are important raw ... Подробнее
2024-12-06 17:48:43
Купить Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm онлайн производитель

Вафля GaN Epi 2 дюймов толщины 370um 430um проставляет размеры 50mm
контакт

Thickness 400 ± 30 μm 2-Inch Free-Standing N-GaN Substrates Dimensions 50.0 ±0.3 mm 2inch C-face Si-doped n-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity < 0.05 Ω·cm Power device/laser wafer ... Подробнее
2024-10-29 11:49:57
Купить вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm онлайн производитель

вафля 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•² 150,0 mm +0mm/-0.2mm см ≤4000/cm
контакт

4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. ... Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Page 1 of 3|< 1 2 3 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.